講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-19 10:55
エナジーハーベスティング用極低電力動作GaAs pHEMT整流器 ○大吉一成・石川 亮・本城和彦(電通大) MW2017-143 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2017-143 |
抄録 |
(和) |
IoTセンサーネットワークシステムに用いられる各種センサー等の低電力回路の駆動用として環境電磁波を収集するエナジーハーベスティング技術が注目されている.今回,このエナジーハーベスティング技術の核となるコンポーネントの1つである,極低電力高周波-直流変換を行うための900MHz帯GaAs pHEMT整流器の開発を行った.低電力で高効率の変換効率を得るためには,低電力でもトランジスタを非線形動作させる必要があり,そのための十分な電圧振幅を与える必要がある.そこで,外側に接続される整合回路・直流負荷回路のインピーダンスを増加させることにより,低電力でも電流のみを絞って電圧が保てるように調整を行った.以上の方針で実際にGaAs pHEMT整流器の試作・評価を行い,RF-DC変換効率が-17 dBm以上の入力電力で10%以上,-30 dBm入力で約1%,また,-30 dBm入力時の直流出力電圧が9.1 mV,等々の特性を得た. |
(英) |
An ultra-low-power GaAs pHEMT rectifier has been developed at 900 MHz band for IoT sensor network systems based on an energy harvesting technique. To obtain a high-efficiency characteristic, a nonlinear operation has to be imposed for the rectifier even if at the ultra-low input power. By increasing a drain termination impedance and DC load resistance, a distorted voltage swing at a transistor to obtain an sufficient rectified DC output is achieved at the ultra-low input power. A fabricated rectifier exhibited an RF-to-DC conversion efficiency of more than 10% at an input power of more than -17 dBm, and about 1% was obtained at -30 dBm input with a DC output voltage of 9.1 mV. |
キーワード |
(和) |
センサーネットワーク / GaAs pHEMT整流器 / 低電力 / / / / / |
(英) |
Sensor network / GaAs pHEMT rectifier / Low power / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 366, MW2017-143, pp. 7-11, 2017年12月. |
資料番号 |
MW2017-143 |
発行日 |
2017-12-12 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MW2017-143 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2017-143 |
研究会情報 |
研究会 |
MW |
開催期間 |
2017-12-19 - 2017-12-20 |
開催地(和) |
国士舘大学 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
学生研究会/マイクロ波一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
MW |
会議コード |
2017-12-MW |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
エナジーハーベスティング用極低電力動作GaAs pHEMT整流器 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Ultra low power GaAs pHEMT rectifier for energy harvesting system |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
センサーネットワーク / Sensor network |
キーワード(2)(和/英) |
GaAs pHEMT整流器 / GaAs pHEMT rectifier |
キーワード(3)(和/英) |
低電力 / Low power |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大吉 一成 / Kazumasa Oyoshi / オオヨシ カズマサ |
第1著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
第2著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
第3著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-12-19 10:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
MW |
資料番号 |
MW2017-143 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.366 |
ページ範囲 |
pp.7-11 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2017-12-12 (MW) |