講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-19 09:40
InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史(NICT)・三村高志(NICT/富士通研) ED2017-82 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-82 |
抄録 |
(和) |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3AsチャネルHEMTを作製し,そのDC・RF特性を温度300,16 Kにおいて測定し両者の比較を行った.InGaAsチャネル層中にInAs極薄層を導入することで,ドレイン電流Idsは約2倍に増大する.また遮断周波数fTは,冷却により20~35%程度増大する.一方最大発振周波数fmaxは,InGaAsチャネルHEMTでは30~40%程度の増大率であるが,InGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTでは70%以上の非常に大きな増大が見られた.このように,InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルの方がfmaxの増大率が非常に大きいのは,冷却によりInAs層中に電子がより閉じ込められ,ドレインコンダクタンスgdが抑制されるためと考えられる. |
(英) |
We fabricated In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As and In0.7Ga0.3As channel HEMTs and measured their DC and RF characteristics at 300 and 16 K. The drain-source current Ids of the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is more than twice that of the InGaAs channel HEMT. The cutoff frequency fT value increases by about 20 to 35% with cooling from 300 to 16 K for both HEMTs. On the other hand, the increase in the maximum oscillation frequency fmax by cooling for the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is much greater than that for the InGaAs channel HEMT. The increase in fmax for the InGaAs channel HEMT is about 30 to 40%. On the other hand, the increase for the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is over 70%, which results from the suppression of increasing drain conductance gd. The suppression of gd is due to the more confinement of electrons in the InAs layer by cooling. |
キーワード |
(和) |
InGaAs/InAs/InGaAs / 低温特性 / ドレイン電流 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / ドレインコンダクタンス / / |
(英) |
InGaAs/InAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Drain-source current / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / Drain conductance / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 364, ED2017-82, pp. 37-40, 2017年12月. |
資料番号 |
ED2017-82 |
発行日 |
2017-12-11 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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