お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-18 13:40
THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長
佐藤陽平唐 超田邉匡生小山 裕東北大ED2017-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-73
抄録 (和) 本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するGaSe結晶を溶液成長により作製している.今回はGaSe結晶からの低周波THz波領域(<4THz)における高効率THz波発生に向け、低周波領域の吸収要因と考えられる自由キャリア吸収の抑制を目的としてGeを添加したGaSe結晶を溶液成長により作製した。さらに、GaSe結晶の低い機械的強度の原因である層間のファンデルワールス力による弱い結合強化を目的とし、GaSe1-xTex混晶を同じく溶液成長により作製した。この層間結合力の評価を行うにあたり、層状半導体であるGaSe結晶が剥離する際の引張強さを測定することのできる装置を構築し、GaSe1-xTex混晶の層垂直方向への引張強さを測定することでTe組成による層間結合力の変化を考察した。 
(英) In this study, as nonlinear optical crystal using in THz wave generation, GaSe crystal is grown by solution growth. In this report, in order to efficiently generate THz wave from GaSe crystal at low THz frequency range (<4THz), Ge doped GaSe crystal is grown by solution growth. Furthermore, in order to improve mechanical strength of GaSe crystal, GaSe1-xTex mixed crystal is also grown by solution growth. Te composition dependence of inter layer bonding force of GaSe1-xTex mixed crystal is evaluated by measurement system which can measure the tensile strength of crystal peeled.
キーワード (和) GaSe / 溶液成長 / 両性不純物 / GaSe1-xTex混晶 / ファンデルワールス結合力 / / /  
(英) GaSe / Solution growth / Amphoteric impurity / GaSe1-xTex mixed crystal / Van der waals bonding force / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 364, ED2017-73, pp. 5-8, 2017年12月.
資料番号 ED2017-73 
発行日 2017-12-11 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2017-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-73

研究会情報
研究会 ED THz  
開催期間 2017-12-18 - 2017-12-19 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-12-ED-THz 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature liquid phase growth of Ge doped GaSe and GaSe1-xTex crystals for practical THz wave source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaSe / GaSe  
キーワード(2)(和/英) 溶液成長 / Solution growth  
キーワード(3)(和/英) 両性不純物 / Amphoteric impurity  
キーワード(4)(和/英) GaSe1-xTex混晶 / GaSe1-xTex mixed crystal  
キーワード(5)(和/英) ファンデルワールス結合力 / Van der waals bonding force  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 陽平 / Yohei Sato / サトウ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Universtiy (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 唐 超 / Chao Tang / タン チャオ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Universtiy (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田邉 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Universtiy (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Universtiy (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2017-12-18 13:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2017-73 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.364 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2017-12-11 (ED) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会