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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-15 14:10
[招待講演]Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs
Hideki Hirayama・○Masafumi JoNoritoshi MaedaRIKEN)・Yukio KashimaMarubunLQE2017-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-91
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) are attracting a great deal of attention, since they have the potential to be used in a wide variety of applications, such as for sterilization, water purification, UV curing, and in the medical and biochemistry fields, and so on. As a result of recent developments in AlGaN DUV LEDs, high internal quantum efficiencies (IQE) of more than 60-70 % have been achieved by reducing the threading dislocation density (TDD) of the AlN, by improving the crystal growth technique and/or by the introduction of AlN single crystal wafers. However, the wall-plug efficiency (WPE) of AlGaN DUV-LEDs still remains at several percent. The first target for the efficiency of AlGaN DUV-LEDs is to go beyond an efficiency of 20%, which would make them comparable to mercury lamps. A significant problem is that the light-extraction efficiency (LEE) of AlGaN DUV-LEDs is still quite low because of heavy UV absorption through the p-GaN contact-layer. Clearly, improving the LEE is a major topic in the development of AlGaN DUV-LEDs. Transparent contact layers and highly reflective electrodes are considered to be necessary in order to obtain sufficiently high LEEs in DUV LEDs. In this work, we demonstrate a record EQE ever reported of over 20% in an AlGaN DUV-LED by using a transparent p-AlGaN contact layer and a highly reflective p-type electrode to improve the LEE. We also demonstrated a record WPE of 10.8% in a DUV LED by suppressing the applying voltage reducing the contact resistance of p-AlGaN/reflective electrode.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) deep-UV LED / AlN / AlGaN / MOCVD / threading dislocation density / wall plug efficiency / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 358, LQE2017-91, pp. 21-26, 2017年12月.
資料番号 LQE2017-91 
発行日 2017-12-08 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2017-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-91

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2017-12-15 - 2017-12-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2017-12-LQE 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / deep-UV LED  
キーワード(2)(和/英) / AlN  
キーワード(3)(和/英) / AlGaN  
キーワード(4)(和/英) / MOCVD  
キーワード(5)(和/英) / threading dislocation density  
キーワード(6)(和/英) / wall plug efficiency  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 定 昌史 / Masafumi Jo / ジョウ マサフミ
第2著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ
第3著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿嶋 行雄 / Yukio Kashima / カシマ ユキオ
第4著者 所属(和/英) 丸文株式会社 (略称: 丸文)
Marubun (略称: Marubun)
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講演者 第2著者 
発表日時 2017-12-15 14:10:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2017-91 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.358 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数
発行日 2017-12-08 (LQE) 


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