講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-08 11:05
光援用アニールを施したNドープZnO材料の光デバイス応用 ○竪 直也(九大) OPE2017-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2017-113 |
抄録 |
(和) |
近年我々は,酸化物半導体の単結晶に対して,注入したドーパントとその近傍に光誘起される局在光エネルギー場との間に発現する特異な相互作用を活用した独自のアニール処理を施すことで,入射した直線偏光に対し巨大な光変調効果を示すことを見出し,現在試作デバイスを用いた多様な検証実験を行っている.本発表では,この光変調効果の基盤となる物理原理と共に試作デバイスの作成および機能原理を示し,高速スイッチング応用を念頭においたデバイス仕様に関する各種アニール条件依存性に関する検証実験とその結果について述べる. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
空間光変調器 / 酸化亜鉛(ZnO) / 局在光エネルギー場 / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 339, OPE2017-113, pp. 121-124, 2017年12月. |
資料番号 |
OPE2017-113 |
発行日 |
2017-11-30 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OPE2017-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2017-113 |