講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 13:20
NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之(佐賀大) ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
抄録 |
(和) |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波や高出力動作が報告されている.さらにAl2O3保護膜を適用することで,真空中で約2時間の動作安定性が得られている.しかし,信頼性試験やそのメカニズムに関してはこれまであまり検討されていない.今回,NO2ホールドーピングとAl2O3膜堆積を適用した構造で,空気中で14.3時間の安定動作を得た.さらに,ストレス試験前後の電気的特性を比較することで劣化メカニズムを解析した.解析結果からゲート端に電界が集中しAl2O3膜とAl2O3/ダイヤモンド界面が劣化し,ゲート絶縁膜のリーク電流増加とドレイン電流低下が発生することが分かった. |
(英) |
Diamond is expected to be applied to high frequency and high power devices, so far high frequency and high power operation has been reported by hydrogen termination and NO2 hole doping. Furthermore, by applying the Al2O3 protective film, operation stability in vacuum of about 2 hours is obtained. But, reliability tests and mechanisms have not been studied so far. In this study, we observed stable operation in air for 14.3 hours with NO2 hole doping and Al2O3 protective film deposition. Furthermore, the degradation mechanism was analyzed by comparing the electrical characteristics before and after the stress test. From the analysis results, it was found that the electric field concentrates at the gate edge, the interface between the Al2O3 film itself, the interface between the diamond surface and the Al2O3 film degraded, and an increase in the leakage current through the gate insulating film and a decrease in the drain current occur. |
キーワード |
(和) |
ダイヤモンドMOS FET / 高周波デバイス / 高出力デバイス / DCストレス / 電気的特性 / / / |
(英) |
Diamond MOS FET / High frequency device / High power device / Direct current stress / Electrical properties / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-63, pp. 69-72, 2017年11月. |
資料番号 |
ED2017-63 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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