講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 13:10
脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 ~ ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 ~ ○瀬下 清・土肥俊郎・大坪正徳・塚本敬一(九大)・高木正孝(フジボウ愛媛)・市川大造(不二越機械工業) OME2017-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-42 |
抄録 |
(和) |
サファイヤ,SiC,GaNなどの難加工性材料基板のスマートポリシング加工技術構築の鍵を握るのがダイラタンシー材料である.この加工特性を決定づける要因解明にあたり,オストワルドの流動の式における指数n>1.0に注目し, 高加工能率・高加工面品位を両立するための最適なダイラタンシー材料を開発する上で,落槌試験による新しい物性評価技術を確立し,さらに試作したパッドによる加工特性を評価した.その結果,従来技術と比較して加工レートが2.5~10倍,加工面粗さ1/3,ウエハ内のスクラッチ数:1/100,加工変質層深さ1/10に向上させることができ,高能率・高品位加工の実用化を可能にした. |
(英) |
Dilatancy material has hold the key to construct Smart-polishing technology for hard-to-process material substrates such as Sapphire, SiC, and GaN. Regarding on the factors that determines the polishing characteristic, We have focused onto the index n > 1.0 in Ostwald's flow equation in order to develop the optimum dilatancy material for satisfy both between high polishing efficiency and high polishing surface quality. And therefore, a new property evaluation technique has been established by drop impact tests and further evaluated the Polishing characteristics of the prototype pad. As a result, Compared to the conventional technology, the material removal rates can be increased to 2.5 to 10 times, the surface roughness is 1/3rd, the number of scratches in the wafer: 1/100th, the depth of the latent damage layer is 1/10th, and high efficiency making it possible to put high-grade polishing into practical use. |
キーワード |
(和) |
CMP / SiC / ダイラタンシー現象 / オストワルドの流動 / 落鎚試験 / 衝撃速度 / 材料評価法 / 加工変質層 |
(英) |
CMP / SiC / dilatancy phenomenon / Ostwald’s flow / drop impact test / impact speed / material evaluation method / process- damage layer |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 334, OME2017-42, pp. 31-36, 2017年12月. |
資料番号 |
OME2017-42 |
発行日 |
2017-11-24 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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