講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-30 16:15
界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典(福井大)・堀切文正・田中丈士(サイオクス)・三島友義(法政大) ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
抄録 |
(和) |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12μmのn-GaN厚膜低キャリアドリフト層(n=1×1016 cm-3)を平坦、又は波形表面モフォロジーをもつ自立GaN基板に上に成長した。界面顕微光応答測定により、平坦な表面をもつ試料はキャリア濃度に関係なく、均一なショットキー界面をもつことが明らかになった。一方、波形表面モフォロジーをもつ試料では、低キャリア濃度において光電流像に同様なパターンが観察された。結晶成長中にCの取り込み量が傾斜角度の影響を受け、キャリア濃度が変化したと考えられる。これらの結果は界面顕微光応答法がウエハー全面に渡りキャリア濃度、補償の不均一性を評価することに適した手法であることを示している。 |
(英) |
We characterized the effect of the surface morphology on electrical properties of the n-GaN drift-layers by using scanning internal photoemission microscopy (SIPM). We grew 12-µm-thick low-carrier-concentration (around 1×1016 cm-3) n-GaN layers with both flat and wavy surface morphologies on free-standing GaN substrates by metal organic chemical vapor deposition. In the SIPM results, the samples with flat surfaces exhibited uniform photocurrent distribution independently of the carrier concentration. On the other hand, we obtained the same wavy pattern in the photocurrent maps as the surface morphology for the samples in low-carrier concentration. These results indicate that the amount of C incorporation during the growth was affected by off-angle of the GaN surface and the carrier compensation by C atoms was changed. We demonstrated that SIPM is a powerful tool to nondestructively visualized inhomogeneity of the carrier compensation over the wafer. |
キーワード |
(和) |
n-GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / 表面モフォロジー / / / / |
(英) |
n-GaN / Schottky contact / Scanning internal photoemission microscopy / surface morphology / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-55, pp. 27-32, 2017年11月. |
資料番号 |
ED2017-55 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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