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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-21 11:20
パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係
松嶋 徹黒柳貴夫久門尚史和田修己京大EMCJ2017-61
抄録 (和) パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により、回路にコモンモードの高周波結合経路が発生し、コモンモード電圧が励振されることを回路解析により示した。
結合経路を制御するために、ハーフブリッジ回路の下側MOSFETにソース電極がヒートスプレッダと接続されているMOSFETを使用することで、数十MHz以下の周波数のコモンモード電流を低減可能であることを示した。
さらに、MOSFET近傍の寄生結合と電源側配線のインダクタンスの値を調整し、インピーダンスバランス条件を満たすことで、数十MHz以上の周波数においてもコモンモード電圧が抑制される。
SPICEシミュレーションによる計算により、100MHzまでの周波数帯において、MOSFET近傍の寄生結合を調整することで15dB以上の低減を確認した。 
(英) In this report, it is formalized that common-mode voltages are excited by switching current flows on parasitic capacitor between a heat spreader of a MOSFET and a heat sink.
In order to control a coupling path of the common mode current, using a MOSFET whose source electrode is connected to a heat spreader for a lower switch of a half-bridge circuit reduces common-mode voltage up to about 30 MHz.
In addition, satisfying the impedance balance condition between the parasitic capacitance around the MOSFET and the parasitic inductance on the power and ground lines can also reduce common-mode voltage above 30 MHz.
According to SPICE simulation, changing the position of parasitic capacitance obtains 15-dB reduction of common-mode voltage below 100~MHz.
キーワード (和) コモンモード / 寄生結合 / インピーダンスバランス / パワーMOSFET / / / /  
(英) common mode / parasitic coupling / impedance balance / power MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 317, EMCJ2017-61, pp. 13-18, 2017年11月.
資料番号 EMCJ2017-61 
発行日 2017-11-14 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2017-61

研究会情報
研究会 WPT EMCJ  
開催期間 2017-11-21 - 2017-11-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 無線電力伝送,実装,EMC一般 
テーマ(英) Wireless Power Transmission, Electronic Packaging, EMC 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2017-11-WPT-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Relation between parasitic coupling around power MOSFET and excitation of common-mode voltage 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) コモンモード / common mode  
キーワード(2)(和/英) 寄生結合 / parasitic coupling  
キーワード(3)(和/英) インピーダンスバランス / impedance balance  
キーワード(4)(和/英) パワーMOSFET / power MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松嶋 徹 / Tohlu Matsushima / マツシマ トオル
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒柳 貴夫 / Takao Kuroyanagi / クロヤナギ タカオ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 久門 尚史 / Takashi Hisakado / ヒサカド タカシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 修己 / Osami Wada / ワダ オサミ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2017-11-21 11:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 IEICE-EMCJ2017-61 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.317 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMCJ-2017-11-14 


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