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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-17 13:00
[招待講演]トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発
永瀬 隆三田翔也塩野郁弥小林隆史内藤裕義阪府大OME2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-27
抄録 (和) 塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた重要な課題である。塗布形成した有機半導体薄膜表面をキャリア輸送層として用いるトップゲート/ボトムコンタクト (TG/BC) 構造の有機FETは基板の表面エネルギーに大きく依存することなく移動度や動作安定性を向上させることが可能である。可溶性低分子半導体を用いることでスピンコート製膜で8 cm2/Vsを超える高い平均移動度を得ることが可能となった。TG/BC構造有機FETは不揮発性メモリ作製にも応用が可能であり、有機半導体の光機能を利用することで良好なメモリ特性が得られることが分かった。 
(英) We report that the use of a top-gate/bottom-contact (TG/BC) configuration in solution-processed organic field-effect transistors (OFETs) allows extracting high field-effect mobilities and high operational stabilities irrespective of the surface energy of substrates. High average mobility over 8 cm2/Vs can be achieved in TG/BC OFETs based on soluble small-molecule semiconductors processed by spin coating. TG/BC OFETs are also useful for developing solution-processable organic nonvolatile memory devices. Good memory operations in solution-processed TG/BC OFET memory devices by utilizing the optical functions of organic semiconductors are also reported.
キーワード (和) 有機トランジスタ / 可溶性有機半導体 / トップゲート構造 / 不揮発性有機メモリ / / / /  
(英) Organic Transistors / Soluble Organic Semiconductors / Top-gate Configuration / Nonvolatile Organic Memory / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 313, OME2017-27, pp. 1-6, 2017年11月.
資料番号 OME2017-27 
発行日 2017-11-10 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-27

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2017-11-17 - 2017-11-17 
開催地(和) 大阪大学中之島センター 
開催地(英) Osaka Univ. Nakanoshima Center 
テーマ(和) 有機デバイス・センサー,一般 
テーマ(英) Organic devices and sensors, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2017-11-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device characteristics of solution-processed top-gate organic transistors and development of nonvolatile organic memory devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic Transistors  
キーワード(2)(和/英) 可溶性有機半導体 / Soluble Organic Semiconductors  
キーワード(3)(和/英) トップゲート構造 / Top-gate Configuration  
キーワード(4)(和/英) 不揮発性有機メモリ / Nonvolatile Organic Memory  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永瀬 隆 / Takashi Nagase / ナガセ タカシ
第1著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三田 翔也 / Shoya Sanda / サンダ ショウヤ
第2著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩野 郁弥 / Fumiya Shiono / シオノ フミヤ
第3著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 隆史 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ
第4著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito / ナイトウ ヒロヨシ
第5著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-11-17 13:00:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2017-27 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.313 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2017-11-10 (OME) 


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