講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-17 13:00
[招待講演]トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 ○永瀬 隆・三田翔也・塩野郁弥・小林隆史・内藤裕義(阪府大) OME2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-27 |
抄録 |
(和) |
塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた重要な課題である。塗布形成した有機半導体薄膜表面をキャリア輸送層として用いるトップゲート/ボトムコンタクト (TG/BC) 構造の有機FETは基板の表面エネルギーに大きく依存することなく移動度や動作安定性を向上させることが可能である。可溶性低分子半導体を用いることでスピンコート製膜で8 cm2/Vsを超える高い平均移動度を得ることが可能となった。TG/BC構造有機FETは不揮発性メモリ作製にも応用が可能であり、有機半導体の光機能を利用することで良好なメモリ特性が得られることが分かった。 |
(英) |
We report that the use of a top-gate/bottom-contact (TG/BC) configuration in solution-processed organic field-effect transistors (OFETs) allows extracting high field-effect mobilities and high operational stabilities irrespective of the surface energy of substrates. High average mobility over 8 cm2/Vs can be achieved in TG/BC OFETs based on soluble small-molecule semiconductors processed by spin coating. TG/BC OFETs are also useful for developing solution-processable organic nonvolatile memory devices. Good memory operations in solution-processed TG/BC OFET memory devices by utilizing the optical functions of organic semiconductors are also reported. |
キーワード |
(和) |
有機トランジスタ / 可溶性有機半導体 / トップゲート構造 / 不揮発性有機メモリ / / / / |
(英) |
Organic Transistors / Soluble Organic Semiconductors / Top-gate Configuration / Nonvolatile Organic Memory / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 313, OME2017-27, pp. 1-6, 2017年11月. |
資料番号 |
OME2017-27 |
発行日 |
2017-11-10 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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