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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-10 10:00
[招待講演]SISPAD 2017 レビュー(2)
来栖貴史東芝メモリSDM2017-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-67
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-67, pp. 33-36, 2017年11月.
資料番号 SDM2017-67 
発行日 2017-11-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SISPAD 2017 レビュー(2) 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SISPAD 2017 Review (2) 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 来栖 貴史 / Takashi Kurusu /
第1著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: TMC)
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講演者
発表日時 2017-11-10 10:00:00 
発表時間 60 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-67 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2017-11-02 


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