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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-09 13:30
[招待講演]SiC中の不純物拡散モデル
植松真司慶大SDM2017-64 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-64
抄録 (和) パワーデバイスへの応用が広がっているSiC(炭化ケイ素)における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散の相違点に着目しながら、SiC中において点欠陥の振る舞いが不純物拡散をどのように支配しているかについて解説する。不純物の活性化も含めて、SiC中の拡散モデリングが今どこまで進んでいるのか、その現状について概説する。 
(英) SiC is an attractive material for the application of high-power electronic devices. In this article, the current status of studies on impurity diffusion modeling in SiC, including on the dopant activation, is reviewed based on the diffusion mechanism governed by point defects, compared with the diffusion in Si and Ge.
キーワード (和) 半導体プロセス / SiC / 不純物拡散 / 拡散モデリング / 点欠陥 / / /  
(英) Semiconductor Processes / SiC / Impurity Diffusion / Diffusion Modeling / Point Defects / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-64, pp. 15-20, 2017年11月.
資料番号 SDM2017-64 
発行日 2017-11-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-64 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-64

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC中の不純物拡散モデル 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Impurity Diffusion Modeling in SiC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体プロセス / Semiconductor Processes  
キーワード(2)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(3)(和/英) 不純物拡散 / Impurity Diffusion  
キーワード(4)(和/英) 拡散モデリング / Diffusion Modeling  
キーワード(5)(和/英) 点欠陥 / Point Defects  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2017-11-09 13:30:00 
発表時間 60 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-64 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2017-11-02 


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