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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-09 15:40
[招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-66
抄録 (和) 深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非理想的な容量特性が得られ、有効なツールとなることを確認した. 
(英) Transient mode device simulation is applied to obtain capacitances of GaN MOS capacitors including deep level traps, and is successful to simulate various unideal C-V curves arising from the traps.
キーワード (和) GaN / MOS / デバイスシミュレーション / トラップ / 容量 / / /  
(英) GaN / MOS / Device Simulation / trap / capacitance / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-66, pp. 27-32, 2017年11月.
資料番号 SDM2017-66 
発行日 2017-11-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2017-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-66

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN MOS capacitance simulation considering deep traps 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) MOS / MOS  
キーワード(3)(和/英) デバイスシミュレーション / Device Simulation  
キーワード(4)(和/英) トラップ / trap  
キーワード(5)(和/英) 容量 / capacitance  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2017-11-09 15:40:00 
発表時間 60 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-66 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2017-11-02 


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