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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-09 10:00
[招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
白石賢二関口一樹長川健大白川裕規川上賢人山本芳裕洗平昌晃岡本直也芳松克則名大)・寒川義裕柿本浩一九大SDM2017-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-61
抄録 (和) これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアがまず反応してアダクトが形成され、このアダクトが複雑は気相反応を経てGaNユニットに変化し、このGaNユニットが基板に吸着することで成長が進むことを基本に考えられていた。我々は第一原理計算と熱統計力学的考察を行うことによってこれまでのシミュレーションの大前提であるアダクト形成はメインの反応ではないことを明らかにした。さらにこれらの結果と流体力学を物理的に正確につなぐ方法論を開発し、第一原理計算・熱統計力学的解析・流体力学の3つの物理学を総合したマルチフィジックスシミュレーションへと展開した。 
(英) In conventional GaN growth simulations, it has been believed that tri-methyl-gallium (TMG) first react with ammonia forming adducts. This adducts change into GaN units after complicated reaction in vapor phase and these GaN units adsorb onto substrate. However, our first principles and thermodynamic analysis shows that adduct formation is not main reaction. Moreover, we unify first principles calculations, thermodynamics analysis and fluid dynamic simulations.
キーワード (和) GaN / MOVPE成長 / 第一原理計算 / 熱統計力学的解析 / 流体力学 / マルチフィジックスシミュレーション / /  
(英) GaN / MOVPE growth / First principles calculations / Thermodynamic analysis / Fluid dynamics / Multi-physics simulations / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-61, pp. 1-4, 2017年11月.
資料番号 SDM2017-61 
発行日 2017-11-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-61

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multri-Physics Simulation of GaN MOVPE Growth 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) MOVPE成長 / MOVPE growth  
キーワード(3)(和/英) 第一原理計算 / First principles calculations  
キーワード(4)(和/英) 熱統計力学的解析 / Thermodynamic analysis  
キーワード(5)(和/英) 流体力学 / Fluid dynamics  
キーワード(6)(和/英) マルチフィジックスシミュレーション / Multi-physics simulations  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 一樹 / Kazuki Sekiguchi / セキグチ カズキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長川 健大 / Kenta Chokawa / チョウカワ ケンタ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 白川 裕規 / Hiroki Shirakawa / シラカワ ヒロキ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 賢人 / Kento Kawakami / カワカミ ケント
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳裕 / Yoshihiro Yamamoto / ヤマモト ヨシヒロ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直也 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ
第8著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 芳松 克則 / Katsumori Yoshimatsu / ヨシマツ カツノリ
第9著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 寒川 義裕 / Yoshihiro Kangawa / カンガワ ヨシヒロ
第10著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 柿本 浩一 / Koichi Kakimoto / カキモト コウイチ
第11著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-11-09 10:00:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2017-61 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2017-11-02 (SDM) 


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