講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-09 10:00
[招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則(名大)・寒川義裕・柿本浩一(九大) SDM2017-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-61 |
抄録 |
(和) |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアがまず反応してアダクトが形成され、このアダクトが複雑は気相反応を経てGaNユニットに変化し、このGaNユニットが基板に吸着することで成長が進むことを基本に考えられていた。我々は第一原理計算と熱統計力学的考察を行うことによってこれまでのシミュレーションの大前提であるアダクト形成はメインの反応ではないことを明らかにした。さらにこれらの結果と流体力学を物理的に正確につなぐ方法論を開発し、第一原理計算・熱統計力学的解析・流体力学の3つの物理学を総合したマルチフィジックスシミュレーションへと展開した。 |
(英) |
In conventional GaN growth simulations, it has been believed that tri-methyl-gallium (TMG) first react with ammonia forming adducts. This adducts change into GaN units after complicated reaction in vapor phase and these GaN units adsorb onto substrate. However, our first principles and thermodynamic analysis shows that adduct formation is not main reaction. Moreover, we unify first principles calculations, thermodynamics analysis and fluid dynamic simulations. |
キーワード |
(和) |
GaN / MOVPE成長 / 第一原理計算 / 熱統計力学的解析 / 流体力学 / マルチフィジックスシミュレーション / / |
(英) |
GaN / MOVPE growth / First principles calculations / Thermodynamic analysis / Fluid dynamics / Multi-physics simulations / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-61, pp. 1-4, 2017年11月. |
資料番号 |
SDM2017-61 |
発行日 |
2017-11-02 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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