講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-10-26 14:00
高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 ○市野真也・間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・若嶋駿一・須川成利(東北大) SDM2017-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-60 |
抄録 |
(和) |
CMOSイメージセンサ(CIS)の画素内ソースフォロアトランジスタ(SF)で発生するランダムテレグラフノイズ(RTN)について,ドレイン電流やバックバイアス等のSFの動作条件を変化させた際の挙動解析を,高精度アレイテスト回路測定技術を用いて行った.多数のトランジスタの測定による統計的な挙動解析に加え,個別のトランジスタにおける挙動にも着目し,振幅や時定数といったRTNを特徴づけるパラメータのドレイン電流・バックバイアス依存性を評価することで,RTNの発生メカニズムを考察するとともに,RTNの低減に資する,CISのSF動作条件がRTNに与える影響を明らかにした. |
(英) |
Behaviors of random telegraph noise (RTN) occurs at CMOS image sensors’ in-pixel source follower transistors (SF) toward changes of SF operating conditions such as SF drain current and back bias were analyzed by using high accuracy array test circuit. The influences of SF operating condition that contribute to reduce RTN were clarified by the evaluation of the dependency of SF drain current and back bias to the RTN parameters such as amplitude and time constants. In this work, in addition to statistical analysis by the measurement of a large number of the transistors, we also analyzed the behaviors of RTN parameters in the individual transistors. |
キーワード |
(和) |
CMOSイメージセンサ / 画素ソースフォロア / ランダムテレグラフノイズ / / / / / |
(英) |
CMOS image sensor / in-pixel source follower / random telegraph noise / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-60, pp. 57-62, 2017年10月. |
資料番号 |
SDM2017-60 |
発行日 |
2017-10-18 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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