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講演抄録/キーワード
講演名 2017-10-26 13:00
[依頼講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
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抄録 (和) 28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼のPhysical Unclonable Functions (PUF)に関して報告する。SG-MONOSの初期Vtを利用したPUFを試作し、電圧、温度、経時変化に対しての安定性を確認した。さらに、新たに実装されたオフセット読み出し方式により、ECCを用いずにPUFのエラー率0%を達成した。 
(英) Highly reliable Physical Unclonable Functions (PUF) based on 28nm Split-Gate MONOS (SG-MONOS) embedded flash memory is developed for hardware security applications. In this paper, we investigate wide range tolerance on applied voltage, temperature and aging influence for basic PUF characteristics utilizing SG-MONOS initial Vt variation. High-temperature stable PUF at the junction temperature (Tj) of 170oC can be confirmed by applying widely used automotive quality SG-MONOS flash memory. In addition, newly implemented offset read scheme achieves 0% error rate for PUF reliability without ECC.
キーワード (和) Flash Memory / SG-MONOS / security / Physical Unclonable Functions (PUF) / offset read / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-58, pp. 45-49, 2017年10月.
資料番号 SDM2017-58 
発行日 2017-10-18 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-10-25 - 2017-10-26 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-temperature stable Physical Unclonable Functions with error-free readout scheme based on 28nm SG-MONOS flash memory for security applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Flash Memory /  
キーワード(2)(和/英) SG-MONOS /  
キーワード(3)(和/英) security /  
キーワード(4)(和/英) Physical Unclonable Functions (PUF) /  
キーワード(5)(和/英) offset read /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 下井 貴裕 / Takahiro Shimoi / シモイ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 斉藤 朋也 / Tomoya Saito / サイトウ トモヤ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長瀬 寛和 / Hirokazu Nagase / ナガセ ヒロカズ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊豆名 雅之 / Masayuki Izuna / イズナ マサユキ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 明彦 / Akihiko Kanda / カンダ アキヒコ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2017-10-26 13:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-58 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.260 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2017-10-18 


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