講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-10-20 11:05
マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器 ○山中宏治・弥政和宏・半谷政毅・内海博三・西原 淳・本間幸洋(三菱電機)・佐々木謙治(宇宙システム開発利用推進機構) EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2017-99 EST2017-62 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている.マイクロ波送電技術を実用化するには送信電力増幅器のさらなる高効率化と信頼性・製造性の両立が必要となる.これらの課題に対し,本研究では,通常はミリ波帯で用いられるゲート長0.15mのGaN HEMTを用い,3倍波まで高調波整合することで5.8GHzにおいて世界トップの出力電力8.4W,電力付加効率(PAE)77.7%をチャンピオン性能として達成した.また,信頼性・製造性に優れる量産向けデバイスで平均出力電力11.7W,出力電力ばらつき4.7%,平均PAE 68%,PAEばらつき0.6ptsという良好な結果を得た. |
(英) |
In this paper, a state-of-the-art high power and high efficiency GaN HEMT amplifier, which is to be used in 5.8GHz microwave power transfer systems, is presented. A 0.15m gate length GaN HEMT, which is usually used for millimeter wave applications, is used to realize ultimate high efficiency. With up to 3rd order harmonic termination, a champion value of 77.7% PAE with 8.4W output power is obtained. Meanwhile, average output power of 11.7W with 4.7% variation and average PAE of 68% with 0.6 pts variation is obtained with more reliable GaN HEMT. |
キーワード |
(和) |
GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
(英) |
GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 244, MW2017-99, pp. 117-122, 2017年10月. |
資料番号 |
MW2017-99 |
発行日 |
2017-10-12 (EMCJ, MW, EST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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