電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-09-01 10:40
ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性
井上大輔福田 快平谷拓生冨安高弘瓜生達也雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2017-28 CPM2017-49 OPE2017-58 LQE2017-31
抄録 (和) 集積回路の性能はMOSFETのスケーリング則に基づいて高集積化と高速化が進められてきた。しかし、電気配線層における発熱や信号遅延が性能を律速する問題の一つとしてあげられる。配線の性能を向上させる方法として、既存の電気配線を置き換えるチップ上光配線技術が提案されている。そのためには従来のファイバ通信に使われてきた光素子と比べて極低消費電力動作可能な光源が必要である。我々はそのような極低電力動作可能な光源として、薄膜半導体コア層を誘電体クラッドで挟み込んだ薄膜DFB/DRレーザを提案し、これまでに室温連続条件で低しきい値電流、高効率、高速動作を実現してきた。今回、高温条件での動作特性向上を目的として、ブラッグ波長離調を導入した薄膜DFB/DRレーザの作製と評価を行った。スペクトル特性から離調量はDFBレーザで+53 nm、DRレーザで+45 nmと見積もられ、DFBレーザでは温度範囲20°C<T<45°Cで温度にほとんど依存しないしきい値電流特性が得られ、DRレーザでは温度90°Cにおいても1 mAを下回るしきい値電流が得られた。 
(英) The performance of integrated circuits has proceeded to higher integration density and speed based on scaling law in MOSFETs. However, heat generation and signal delay in the electrical wiring layer became problems that limits the performance. To solve these problems, an on-chip optical interconnection technology was proposed. For this purpose, an ultra-low power consumption laser is required as compared with optical devices deployed in fiber communication systems. We have proposed membrane DFB / DR lasers which consist of a thin semiconductor core layer sandwiched between dielectric cladding layers. In previous works, low threshold current, high output efficiency, and high-speed operation characteristics under a room-temperature continuous-wave condition have been reported. In this paper, the Bragg wavelength detuning design was introduced to the membrane DFB / DR lasers in order to improve lasing characteristics at relatively high temperature range. From the spectrum characteristics, the detuning amount was estimated to be 53 nm for the DFB laser and 45 nm for the DR laser. As the results, more or less temperature insensitive threshold characteristic (20 ° C <T <45 °C) was obtained with the membrane DFB laser, and relatively low threshold current (< 1 mA at 90 °C) was obtained with the membrane DFB laser.
キーワード (和) 半導体レーザ / 薄膜レーザ / DFBレーザ / DRレーザ / / / /  
(英) semiconductor laser / membrane laser / distributed-feedback laser / distributed-reflector laser / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 195, LQE2017-31, pp. 51-54, 2017年8月.
資料番号 LQE2017-31 
発行日 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 R EMD CPM LQE OPE  
開催期間 2017-08-31 - 2017-09-01 
開催地(和) 弘前文化センター 
開催地(英)  
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装・信頼性、一般(OECC報告) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2017-08-R-EMD-CPM-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Temperature dependance of threshold current of membrane DFB/DR lasers using Bragg wavelength detuning 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser  
キーワード(2)(和/英) 薄膜レーザ / membrane laser  
キーワード(3)(和/英) DFBレーザ / distributed-feedback laser  
キーワード(4)(和/英) DRレーザ / distributed-reflector laser  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 大輔 / Daisuke Inoue / イノウエ ダイスケ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 快 / Kai Fukuda / フクダ カイ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平谷 拓生 / Takuo Hiratani / ヒラタニ タクオ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨安 高弘 / Takahiro Tomiyasu / トミヤス タカヒロ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 瓜生 達也 / Tatsuya Uryu / ウリュウ タツヤ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2017-09-01 10:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-R2017-34,IEICE-EMD2017-28,IEICE-CPM2017-49,IEICE-OPE2017-58,IEICE-LQE2017-31 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.191(R), no.192(EMD), no.193(CPM), no.194(OPE), no.195(LQE) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-R-2017-08-24,IEICE-EMD-2017-08-24,IEICE-CPM-2017-08-24,IEICE-OPE-2017-08-24,IEICE-LQE-2017-08-24 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会