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講演抄録/キーワード
講演名 2017-08-31 13:55
レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
奈良友奎成田舜基中澤日出樹弘前大エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
抄録 (和) AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモノメチルシラン(MMS)を用いてSiC低温バッファ層を形成し、さらにその上にSiCターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSiC薄膜を作製した。SiCバッファ層の形成条件を変化させてSiC成長を行い、SiCの結晶性および表面平坦性を評価した。その結果、SiCバッファ層形成時の基板温度を500°C、MMS圧力を2.0×10^-3 Pa、形成時間を5分間としたときSiC薄膜の平坦性が最も良好になることがわかった。 
(英) We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3° off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target, and formed SiC interfacial buffer layers on the AlN layers by ultralow pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane to grow SiC films on the low temperature buffer layers by pulsed laser deposition using a SiC target. We formed the SiC buffer layers under different conditions, and investigated the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown on the buffer layers. We successfully grew the SiC film with the lowest surface roughness on the buffer layer formed at a substrate temperature of 500°C, an MMS pressure of 2.0×10^-3 Pa, and a duration time of 5 min.
キーワード (和) シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / / / / /  
(英) Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 193, CPM2017-40, pp. 7-10, 2017年8月.
資料番号 CPM2017-40 
発行日 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 R EMD CPM LQE OPE  
開催期間 2017-08-31 - 2017-09-01 
開催地(和) 弘前文化センター 
開催地(英)  
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装・信頼性、一般(OECC報告) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2017-08-R-EMD-CPM-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial growth of SiC on AlN/Si(110) substrates using SiC buffer layer by pulsed laser deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / Silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / Aluminum nitride  
キーワード(3)(和/英) レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈良 友奎 / Yuki Nara / ナラ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 舜基 / Syunki Narita / ナリタ シュンキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者
発表日時 2017-08-31 13:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-R2017-25,IEICE-EMD2017-19,IEICE-CPM2017-40,IEICE-OPE2017-49,IEICE-LQE2017-22 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.191(R), no.192(EMD), no.193(CPM), no.194(OPE), no.195(LQE) 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-R-2017-08-24,IEICE-EMD-2017-08-24,IEICE-CPM-2017-08-24,IEICE-OPE-2017-08-24,IEICE-LQE-2017-08-24 


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