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講演抄録/キーワード
講演名 2017-08-02 11:35
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-45 ICD2017-33
抄録 (和) 新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGate Controlled Diode(GCD)では,低いリーク電流を示し,かつ,従来のダイオードよりも十分に低い入力電圧で良好なON特性を持つことが確認された.しきい値を0V付近に調整したPN-Body Tied SOI FETのゲート長やゲート幅を見直すことで,GCDの最適化が可能であることを示した.高インピーダンスアンテナを用いたレクテナにおいては,低消費電力かつマイクロワット以下の入力電力が整流できる可能性が示された. 
(英) The gate controlled diode characteristics with our newly super steep subthreshold slope (SS) “PN-Bode Tied SOI FET” was shown for the first time. It shows the low leakage current. We found that the Excellent On-characteristics with an input voltage sufficiently lower than conventional diode. We showed that it is possible to optimize GCD by reviewing gate length and gate width of PN-Body Tied SOI FET`s whose threshold is controlled to around 0V. A rectenna by using high impedance antenna, the possibility of shown input power of micro watt below could be rectified.
キーワード (和) Subthreshold Slope / SOI MOSFET / RFエネルギーハーベスティング / GCD / / / /  
(英) Subthreshold Slope / SOI MOSFET / RF Energy Harvesting / GCD / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 166, SDM2017-45, pp. 109-114, 2017年7月.
資料番号 SDM2017-45 
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2017-07-31 - 2017-08-02 
開催地(和) 北海道大学情報教育館 
開催地(英) Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用  
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-07-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gate Controlled Diode Characteristics of Super Steep Subthreshold slope PN-Body Tied SOI-FET for high Efficiency RF Energy Harvesting 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Subthreshold Slope / Subthreshold Slope  
キーワード(2)(和/英) SOI MOSFET / SOI MOSFET  
キーワード(3)(和/英) RFエネルギーハーベスティング / RF Energy Harvesting  
キーワード(4)(和/英) GCD / GCD  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 駿 / Shun Momose / モモセ シュン
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 貴大 / Takahiro Yoshida / ヨシダ タカヒロ
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 潤平 / Junpei Iwata / イワタ ジュンペイ
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀井 隆史 / Takashi Horii / ホリイ タカシ
第6著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 貴大 / Takahiro Furuta / フルタ タカヒロ
第7著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第8著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 高松 大地 / Daichi Takamatsu / タカマツ ダイチ
第9著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ
第10著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa institute of Technology (略称: KIT)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第11著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第12著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
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講演者
発表日時 2017-08-02 11:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-45,IEICE-ICD2017-33 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.166(SDM), no.167(ICD) 
ページ範囲 pp.109-114 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2017-07-24,IEICE-ICD-2017-07-24 


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