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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-08-01 13:00 ［依頼講演］電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器 ○張 国強・矢山浩輔・勝島明男・三木隆博（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2017-39 ICD2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-39 ICD2017-27 |
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| 抄録 | （和） | Local Interconnection Network(LIN)に適用可能なCMOSオンチップ発振器(OCO)を提案する。電圧比調整(VRA)技術によって出力周波数の温度依存性は補正される。周波数の電源電圧依存性は幅広い入力範囲1.8Vから5.0Vを電圧レギュレータによって減少される。パッケージストレスによる周波数変動は抵抗の配置位置の工夫により最小化される。測定では、温度-40℃から150℃の範囲で温度依存性がパッケージストレスを除いた場合で3.2ppm/℃、パッケージストレスを含めた場合で14.2ppm/℃であった。また電圧依存性は±0.015%以内である。 |
| （英） | A CMOS on-chip oscillator (OCO) for local interconnection network (LIN) bus is presented. The temperature dependence of the output frequency is compensated by the voltage ratio adjusting (VRA) technique. The frequency variation with supply voltage is reduced by a voltage regulator with a wide input range of 1.8V to 5.0V. The frequency shift caused by package stress is minimized by resistor placement. Over a temperature range of -40ºC to 150ºC, the measured temperature coefficients of the output frequency are 3.2ppm/ºC without the effect of the package stress and 14.2ppm/ºC with that, respectively. The measured frequency variation with supply voltage is within ±0.015%. | |
| キーワード | （和） | 周波数偏差 / オンチップ発振器 / パッケージストレス / 温度補償 / / / / |
| （英） | Frequency variation / On-chip oscillator / Package stress / Temperature compensation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 167, ICD2017-27, pp. 69-69, 2017年7月. | |
| 資料番号 | ICD2017-27 | |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-39 ICD2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-39 ICD2017-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2017-07-31 - 2017-08-02 |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-07-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 3.2ppm/℃ Second-Order Temperature Compensated CMOS On-Chip Oscillator Using Voltage Ratio Adjusting Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 周波数偏差 / Frequency variation |
| キーワード(2)（和/英） | オンチップ発振器 / On-chip oscillator |
| キーワード(3)（和/英） | パッケージストレス / Package stress |
| キーワード(4)（和/英） | 温度補償 / Temperature compensation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 国強 / Guoqiang Zhang / チョウ コクキョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢山 浩輔 / Kosuke Yayama / ヤヤマ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝島 明男 / Akio Katsushima / カツシマ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三木 隆博 / Takahiro Miki / ミキ タカヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-08-01 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2017-39, ICD2017-27 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.166(SDM), no.167(ICD) |
| ページ範囲 | p.69 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
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