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講演抄録/キーワード
講演名 2017-07-31 10:15
8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価
原田知親山形大SDM2017-32 ICD2017-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-32 ICD2017-20
抄録 (和) センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が容易になる等のメリットを得ることができる。また、素子構造を8角形状とすることで、電極配置が線対称かつ点対称となり、製造時における端子のズレを抑える効果が期待できる。本研究では、応力検出素子や温度検出素子、ホールセンサとして利用できることから、マルチセンサ用基本素子としての活用を見込むため、8角形MOSFETの多機能センサ動作をまとめ、その評価を行った。 
(英) By using the Si material and the MOSFET type as the sensor device, it is possible to fabricate the various sensor device by the existing Si process, and it is possible to obtain advantages such as low cost and ease of circuit integration etc. Further, by making the octagonal structure, the electrode arrangement becomes line symmetric and point symmetrical, and the effect of suppressing the deviation of the terminals at the time of manufacture can be expected. In this paper, the multifunctional sensor of octagonal MOSFET is evaluated, since it can be used as a stress detection, a temperature detection, and a Hall effect sensor, in order to use it as a basic element of a multiple sensor.
キーワード (和) 8角形MOSFET / 応力センサ / ホールセンサ / 温度センサ / 多端子MOSFET / / /  
(英) Octagonal MOSFET / stress sensor / Hall sensor / temperature sensor / multi-output MOSFET / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 167, ICD2017-20, pp. 7-12, 2017年7月.
資料番号 ICD2017-20 
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-32 ICD2017-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-32 ICD2017-20

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2017-07-31 - 2017-08-02 
開催地(和) 北海道大学情報教育館 
開催地(英) Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用  
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-07-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multi Sensor Operation using Octagonal Multi-Output MOSFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 8角形MOSFET / Octagonal MOSFET  
キーワード(2)(和/英) 応力センサ / stress sensor  
キーワード(3)(和/英) ホールセンサ / Hall sensor  
キーワード(4)(和/英) 温度センサ / temperature sensor  
キーワード(5)(和/英) 多端子MOSFET / multi-output MOSFET  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 知親 / Tomochika Harada / ハラダ トモチカ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-07-31 10:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2017-32, ICD2017-20 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.166(SDM), no.167(ICD) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD) 


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