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講演抄録/キーワード
講演名 2017-07-21 13:05
電気接点と半導体スイッチを用いたハイブリッド直流遮断器のシミュレーション
中山恭太郎全 俊豪安岡康一東工大EMCJ2017-25 EMD2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2017-13
抄録 (和) 近年,直流送配電の需要増加に伴い,電気接点と半導体スイッチを並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。筆者らは,DC1000V–1000A級で使用できるハイブリッド直流遮断器の研究を行っているが,その際に回路シミュレーションソフトによる電気接点の模擬が必要である。本稿では電気接点単独で遮断した場合と,半導体スイッチに転流するハイブリッド方式のそれぞれの接点間抵抗を測定した。この結果,半導体スイッチに転流した場合は電気接点のみを用いた場合よりも接点間抵抗値の上昇速度が大きいことが分かった。 
(英) Recently, a hybrid DC circuit breaker consisted of metal contacts, semiconductor devices and a varistor is intensely studied because of the large demand of DC power distribution. We are studying a hybrid DC circuit breaker for high voltage and high current operations. In the research, a simulation model of electric contacts is quite useful to evaluate the circuit parameters. this report shows the changing of contact resistance with and without current commutation by a semiconductor switch. As a result, the contact resistance in the experiment with commutation increased rapider than that without commutation.
キーワード (和) ハイブリッド直流遮断器 / 溶融ブリッジ / アーク放電 / SiC-MOSFET / / / /  
(英) Hybrid DC circuit breaker / Molten metal bridge / Arc discharge / SiC-MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 147, EMD2017-13, pp. 1-6, 2017年7月.
資料番号 EMD2017-13 
発行日 2017-07-14 (EMCJ, EMD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2017-25 EMD2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2017-13

研究会情報
研究会 EMCJ EMD  
開催期間 2017-07-21 - 2017-07-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 放電, EMC一般 
テーマ(英) Discharge, EMC 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMD 
会議コード 2017-07-EMCJ-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気接点と半導体スイッチを用いたハイブリッド直流遮断器のシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Circuit simulation of a Hybrid DC Circuit Breaker consisted of electric contacts and Semiconductor switch 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ハイブリッド直流遮断器 / Hybrid DC circuit breaker  
キーワード(2)(和/英) 溶融ブリッジ / Molten metal bridge  
キーワード(3)(和/英) アーク放電 / Arc discharge  
キーワード(4)(和/英) SiC-MOSFET / SiC-MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 恭太郎 / Kyotaro Nakayama / ナカヤマ キョウタロウ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 全 俊豪 / Shungo Zen / ゼン シュンゴウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安岡 康一 / Koichi Yasuoka / ヤスオカ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-07-21 13:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMD 
資料番号 EMCJ2017-25, EMD2017-13 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.146(EMCJ), no.147(EMD) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2017-07-14 (EMCJ, EMD) 


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