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講演抄録/キーワード
講演名 2017-06-20 15:15
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
高山留美星井拓也東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・大橋弘通角嶋邦之若林 整筒井一生東工大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-27
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-27, pp. 31-34, 2017年6月.
資料番号 SDM2017-27 
発行日 2017-06-13 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-06-20 - 2017-06-20 
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Capacitance Analyses of p-ch GaN MOS Structure on Polarization ― Junction Substrate 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高山 留美 / Rumi Takayama / タカヤマ ルミ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中島 昭 / Akira Nakajima / ナカジマ アキラ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西澤 伸一 / Shinichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 弘通 / Hiromichi Ohashi / オオハシ ヒロミチ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2017-06-20 15:15:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-27 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.101 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2017-06-13 


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