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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-06-20 15:15 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 ○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大）  SDM2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-27 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-27, pp. 31-34, 2017年6月. | |
| 資料番号 | SDM2017-27 | |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-06-20 - 2017-06-20 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Capacitance Analyses of p-ch GaN MOS Structure on Polarization ― Junction Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 留美 / Rumi Takayama / タカヤマ ルミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 昭 / Akira Nakajima / ナカジマ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西澤 伸一 / Shinichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 弘通 / Hiromichi Ohashi / オオハシ ヒロミチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-06-20 15:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-27 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.101 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
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