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講演抄録/キーワード
講演名 2017-06-20 16:30
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
金田裕一池 進一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2017-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-29
抄録 (和) Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠である。本研究では、原子層堆積法を用いてGe1-xSnx上にGeO2を低温堆積し、Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/Ge/Al構造のMOSキャパシタを作製した。また、その電気的特性から、Sn組成および電極形成後熱処理(PMA)が欠陥に及ぼす影響を評価した。Sn組成0~3.3 %において、Sn組成が増加するにつれて界面準位密度(Dit)は減少した。また、強反転状態において現れるC-V特性の周波数分散から、Ge1-xSnx層中に多量の欠陥が形成されることが分かった。さらに300 ℃および400 ℃のPMAを行うことによって界面準位密度を1/2に低減でき、Dit=4×1011 eV-1 cm-2の低い値となった。一方、500 ℃以下の熱処理によってはGe1-xSnx層のSn組成および結晶構造はほとんど変化しなかった。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) Ge1-xSnx / 原子層堆積法 / 界面準位密度 / 熱処理 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-29, pp. 39-42, 2017年6月.
資料番号 SDM2017-29 
発行日 2017-06-13 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-29

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-06-20 - 2017-06-20 
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of defects in Ge1-xSnx gate stack structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge1-xSnx /  
キーワード(2)(和/英) 原子層堆積法 /  
キーワード(3)(和/英) 界面準位密度 /  
キーワード(4)(和/英) 熱処理 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金田 裕一 / Yuichi Kaneda / カネダ ユウイチ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 池 進一 / Shinnichi ike / イケ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 兼松 正行 / Masayuki Kanematsu / カネマツ マサユキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2017-06-20 16:30:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-29 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.101 
ページ範囲 pp.39-42 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2017-06-13 


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