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講演抄録/キーワード
講演名 2017-06-20 14:35
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村信幸大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2017-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-25
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-25, pp. 19-23, 2017年6月.
資料番号 SDM2017-25 
発行日 2017-06-13 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-06-20 - 2017-06-20 
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Direct Observation of Chemical Structure and Electrical Dipole at High-k/SiO2 Interface Using by XPS Measurements 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤村 信幸 / Nobuyuki Fujimura / フジムラ ノブユキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2017-06-20 14:35:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-25 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.101 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2017-06-13 


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