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講演抄録/キーワード
講演名
2017-06-20 15:35
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
○
川那子高暢
・
居駒 遼
・
高木寛之
・
小田俊理
(
東工大
)
SDM2017-28
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2017-28
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-28, pp. 35-38, 2017年6月.
資料番号
SDM2017-28
発行日
2017-06-13 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2017-28
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SDM2017-28
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2017-06-20 - 2017-06-20
開催地(和)
キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB)
開催地(英)
Campus Innovation Center Tokyo
テーマ(和)
MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
テーマ(英)
Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2017-06-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Heavily-doped SOI Substrate and Transfer Printing for Fabrication of TMDC FETs
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
川那子 高暢
/
Takamasa Kawanago
/
カワナゴ タカマサ
第1著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Inst. of Tech.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
居駒 遼
/
Ryo Ikoma
/
イコマ リョウ
第2著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Inst. of Tech.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
高木 寛之
/
Hiroyuki Takagi
/
タカギ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Inst. of Tech.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
小田 俊理
/
Shunri Oda
/
オダ シュンリ
第4著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Inst. of Tech.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第5著者 所属(和/英)
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第6著者 所属(和/英)
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第7著者 所属(和/英)
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2017-06-20 15:35:00
発表時間
20分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2017-28
巻番号(vol)
vol.117
号番号(no)
no.101
ページ範囲
pp.35-38
ページ数
4
発行日
2017-06-13 (SDM)
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