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講演抄録/キーワード
講演名
2017-05-26 14:10
28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)
○
進藤隆彦
・
小林 亘
・
長谷部浩一
・
藤原直樹
・
吉松俊英
・
金澤 慈
・
大野哲一郎
・
三条広明
・
大礒義孝
・
石井啓之
・
曽根由明
・
松崎秀昭
(
NTT
)
LQE2017-17
エレソ技報アーカイブへのリンク:
LQE2017-17
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 117, no. 61, LQE2017-17, pp. 69-72, 2017年5月.
資料番号
LQE2017-17
発行日
2017-05-18 (LQE)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
LQE2017-17
エレソ技報アーカイブへのリンク:
LQE2017-17
研究会情報
研究会
LQE LSJ
開催期間
2017-05-25 - 2017-05-26
開催地(和)
山代温泉葉渡莉
開催地(英)
テーマ(和)
量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
LQE
会議コード
2017-05-LQE-LSJ
本文の言語
日本語
タイトル(和)
28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
28-Gbit/s 80-km transmission with 1.3 μm wavelength SOA assisted extended reach EADFB laser (AXEL)
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
/
キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
/
キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
進藤 隆彦
/
Takahiko Shindo
/
シンドウ タカヒコ
第1著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
小林 亘
/
Wataru Kobayashi
/
コバヤシ ワタル
第2著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
長谷部 浩一
/
Koichi Hasebe
/
ハセベ コウイチ
第3著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
藤原 直樹
/
Naoki Fujiwara
/
フジワラ ナオキ
第4著者 所属(和/英)
NTTデバイスイノベーションセンター
(略称:
NTT
)
NTT Device Innovation Center
(略称:
NTT
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
吉松 俊英
/
Toshihide Yoshimatsu
/
ヨシマツ トシヒデ
第5著者 所属(和/英)
NTTデバイスイノベーションセンター
(略称:
NTT
)
NTT Device Innovation Center
(略称:
NTT
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
金澤 慈
/
Shigeru Kanazawa
/
カナザワ シゲル
第6著者 所属(和/英)
NTTデバイスイノベーションセンター
(略称:
NTT
)
NTT Device Innovation Center
(略称:
NTT
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
大野 哲一郎
/
Tetsuichiro Ohno
/
オオノ テツイチロウ
第7著者 所属(和/英)
NTTデバイスイノベーションセンター
(略称:
NTT
)
NTT Device Innovation Center
(略称:
NTT
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
三条 広明
/
Hiroaki Sanjoh
/
サンジョウ ヒロアキ
第8著者 所属(和/英)
NTTデバイスイノベーションセンター
(略称:
NTT
)
NTT Device Innovation Center
(略称:
NTT
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
大礒 義孝
/
Yoshitaka Ohiso
/
オオイソ ヨシタカ
第9著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
石井 啓之
/
Hiroyuki Ishii
/
イシイ ヒロユキ
第10著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
曽根 由明
/
Yoshiaki Sone
/
ソネ ヨシアキ
第11著者 所属(和/英)
NTT未来ねっと研究所
(略称:
NTT
)
NTT Network Innovation Laboratories
(略称:
NTT
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
松崎 秀昭
/
Hideaki Matsuzaki
/
マツザキ ヒデアキ
第12著者 所属(和/英)
NTT先端集積デバイス研究所
(略称:
NTT
)
NTT Device Technology Laboratories
(略称:
NTT
)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2017-05-26 14:10:00
発表時間
25分
申込先研究会
LQE
資料番号
LQE2017-17
巻番号(vol)
vol.117
号番号(no)
no.61
ページ範囲
pp.69-72
ページ数
4
発行日
2017-05-18 (LQE)
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