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講演抄録/キーワード
講演名 2017-05-26 10:50
III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨長谷部浩一藤井拓郎武田浩司硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-13
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 61, LQE2017-13, pp. 53-56, 2017年5月.
資料番号 LQE2017-13 
発行日 2017-05-18 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード LQE2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-13

研究会情報
研究会 LQE LSJ  
開催期間 2017-05-25 - 2017-05-26 
開催地(和) 山代温泉葉渡莉 
開催地(英)  
テーマ(和) 量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2017-05-LQE-LSJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) III-V/Si MOS Capacitor Mach-Zehnder Modulator 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 開 達郎 / Tatsurou Hiraki / ヒラキ タツロウ
第1著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 相原 卓磨 / Takuma Aihara / アイハラ タクマ
第2著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe / ハセベ コウイチ
第3著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤井 拓郎 / Takuro Fujii / フジイ タクロウ
第4著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ
第5著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ
第6著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ
第7著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩 / Hiroshi Fukuda / フクダ ヒロシ
第8著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ
第9著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2017-05-26 10:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2017-13 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.61 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-LQE-2017-05-18 


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