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講演抄録/キーワード
講演名 2017-05-26 10:20
GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗市川義人名工大)・伊藤健治冨田一義成田哲生豊田中研)・加地 徹名大)・加藤正史名工大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 58, ED2017-25, pp. 55-58, 2017年5月.
資料番号 ED2017-25 
発行日 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2017-05-25 - 2017-05-26 
開催地(和) 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 
開催地(英) VBL, Nagoya University 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of GaN epilayers grown on GaN substrates by a microwave photoconductivity decay method 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅田 貴斗 / Takato Asada / アサダ タカト
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: N.I.Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 義人 / Yoshihito Ichikawa / イチカワ ヨシヒト
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 健治 / Kenji Ito / イトウ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨田 一義 / Kazuyoshi Tomita / トミタ カズヨシ
第4著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 哲生 / Tetsuo Narita / ナリタ テツオ
第5著者 所属(和/英) 豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称: Toyota Central R&D Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第7著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
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講演者
発表日時 2017-05-26 10:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2017-25,IEICE-CPM2017-11,IEICE-SDM2017-19 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2017-05-18,IEICE-CPM-2017-05-18,IEICE-SDM-2017-05-18 


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