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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-21 10:25
[依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明石井雄一郎ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-12
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-12, pp. 63-65, 2017年4月.
資料番号 ICD2017-12 
発行日 2017-04-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 6.05-Mb/mm2 16-nm FinFET Double Pumping 1W1R 2-port SRAM with 313ps Read Access Time 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 陽平 / Yohei Sawada / サワダ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 薫夫 / Masao Morimoto / モリモト マサオ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 聡明 / Toshiaki Sano / サノ トシアキ
第4著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: RSD)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 信二 / Shinji Tanaka / タナカ シンジ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 美紀 / Miki Tanaka / タナカ ミキ
第7著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: RSD)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
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講演者
発表日時 2017-04-21 10:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2017-12 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.63-65 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-ICD-2017-04-13 


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