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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-21 10:00
[依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic
Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFSエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-11
抄録 (和) 本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価結果を報告する.6T SRAMでは電源電圧200mVまで動作が認められ、FIRフィルターでは4.5pJ/cycleの消費効率を得ることができた. 
(英) This paper presents an Ultra-Low Leakage (ULL) 55nm Deeply Depleted Channel (DDC) process technology. The 6T SRAM array operates reliably down to 200mV, and the FIR filter consumes just 4.5pJ/cycle.
キーワード (和) サブスレッショルド / DDC / ULL / SRAM / FIR / 超低リーク / /  
(英) DDC / ULL / Sub-threshold / SRAM / FIR / Ultra Low Leak / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-11, pp. 57-61, 2017年4月.
資料番号 ICD2017-11 
発行日 2017-04-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-04-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) サブスレッショルド / DDC  
キーワード(2)(和/英) DDC / ULL  
キーワード(3)(和/英) ULL / Sub-threshold  
キーワード(4)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(5)(和/英) FIR / FIR  
キーワード(6)(和/英) 超低リーク / Ultra Low Leak  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ハーシュ ペイテル / Harsh N. Patel / ハーシュ ペイテル
第1著者 所属(和/英) バージニア大学 (略称: バージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) アブヒシェク ロイ / Abhishek Roy / アブヒシェク ロイ
第2著者 所属(和/英) バージニア大学 (略称: バージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ファラ B ヤハ / Farah B. Yahya / ファラ B ヤハ
第3著者 所属(和/英) バージニア大学 (略称: バージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) ニンギ リウ / Ningxi Liu / ニンギ リウ
第4著者 所属(和/英) バージニア大学 (略称: バージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) ベントン カルホーン / Benton Calhoun / ベントン カルホーン
第5著者 所属(和/英) バージニア大学 (略称: バージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 昭彦 / Akihiko Harada / ハラダ アキヒコ
第6著者 所属(和/英) 富士通エレクトロニクス (略称: FEA)
Fujitsu Electronics America (略称: FEA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 粂野 一幸 / Kazuyuki Kumeno / クメノ カズユキ
第7著者 所属(和/英) 三重富士通セミコンダクター株式会社 (略称: MIFS)
Mie Fujitsu Semiconductor (略称: MIFS)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 真 / Makoto Yasuda / ヤスダ マコト
第8著者 所属(和/英) 三重富士通セミコンダクター株式会社 (略称: MIFS)
Mie Fujitsu Semiconductor (略称: MIFS)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 江間 泰示 / Taiji Ema / エマ タイジ
第9著者 所属(和/英) 三重富士通セミコンダクター株式会社 (略称: MIFS)
Mie Fujitsu Semiconductor (略称: MIFS)
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講演者
発表日時 2017-04-21 10:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2017-11 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.57-61 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2017-04-13 


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