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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-21 10:55
強磁性体-超伝導体-強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答
水柿義直滝口将志田村伸行島田 宏電通大ED2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-13
抄録 (和) 強磁性体(Ferromagnet: FM)であるコバルト(Co)と超伝導体(Superconductor: SC)であるアルミ(Al)をそれぞれリード電極と島電極に用いた単一電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)の特性について報告する。高抵抗を有するSET1と低抵抗を有するSET2を作製し,それぞれの特性を約0.1 Kの低温下で評価した。SETのON/OFFの2状態と,FMリード電極の2種類の磁化配置(平行Pと反平行AP)を組み合わせた,「P & SET-ON」「P & SET-OFF」「AP & SET-ON」「AP & SET-OFF」の4種類の状態でのI-V特性,およびSETのON/OFFそれぞれにおける磁気抵抗比(Magnetoresistance ratio: MRR)を得た。高抵抗のSET1では,全てのバイアス電圧に対してMRRは正であり,またSET-OFF状態にて明瞭な磁気抵抗増大現象が確認された。低抵抗のSET2では,高バイアス電圧にて負のMRRが,低バイアス電圧では正のMRRが得られた。MRRの正負が切り替わるバイアス電圧は,SETのON/OFF状態で変化した。 
(英) We report electric and magnetic field responses of single-electron transistors (SETs) comprising ferromagnetic lead electrodes with a superconducting island. We fabricated two SETs, one of which had relatively high resistance and the other had relatively low resistance.
Measurements were executed at approximately 0.1 K in a compact dilution refrigerator. The SETs had two states for the gate charge: SET-ON or SET-OFF. It also had two states for the FM lead magnetization: parallel (P) or anti-parallel (AP) configuration. I-V characteristics of four SET states ("P & SET-ON," "P & SET-OFF," ``AP & SET-ON," and "AP & SET-OFF") were measured for both SETs. Magnetoresistance ratios (MRR) were then obtained for both SET-ON and SET-OFF states. The high-resistance SET1 exhibited positive MRR values for all bias voltages. The enhancement of MRR was confirmed for the SET-OFF state.The low-resistance SET2 exhibited negative and positive MRR values for high and low bias voltage conditions, respectively. The bias voltages for the polarity switching were changed by the gate charge.
キーワード (和) クーロン閉塞 / 磁気抵抗効果 / 単一電子トランジスタ / 強磁性体 / 超伝導体 / / /  
(英) Coulomb blockade / magnetoresistance ratio / single-electron transistor / ferromagnet / superconductor / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 6, ED2017-13, pp. 47-50, 2017年4月.
資料番号 ED2017-13 
発行日 2017-04-13 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2017-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-13

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) 有機デバイス、酸化物デバイス、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-04-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強磁性体-超伝導体-強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electric and Magnetic Field Responses of Single-Electron Transistors Composed of Superconducting Island with Ferromagnetic Leads 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) クーロン閉塞 / Coulomb blockade  
キーワード(2)(和/英) 磁気抵抗効果 / magnetoresistance ratio  
キーワード(3)(和/英) 単一電子トランジスタ / single-electron transistor  
キーワード(4)(和/英) 強磁性体 / ferromagnet  
キーワード(5)(和/英) 超伝導体 / superconductor  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki / ミズガキ ヨシナオ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 滝口 将志 / Masashi Takiguchi / タキグチ マサシ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 伸行 / Nobuyuki Tamura / タムラ ノブユキ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 島田 宏 / Hiroshi Shimada / シマダ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC Tokyo)
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講演者
発表日時 2017-04-21 10:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2017-13 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2017-04-13 


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