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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-20 14:55
[依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-7
抄録 (和) 世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構造による優れたサブスレッショルド特性と閾値電圧ばらつきの改善を確認.また,ソースサイドインジェクション (SSI)での書き込みにおいてステップ昇圧パルス方式を用いる事により,FinFET先端での電界集中が効果的に抑制されることを示した.250K回の書き換えサイクル後,150℃において高いデータ保持能力が確認されており,高度な自動車システム用途への利用が可能である. 
(英) FinFET split-gate metal-oxide nitride oxide silicon (SG-MONOS) Flash memories have been fabricated and operated for the first time. Excellent subthreshold characteristics and small threshold-voltage variability owing to a Fin-structure are clarified. It is demonstrated that Fin top-corner effects are well suppressed by incremental step pulse programming for source side injection. Highly reliable data retention at 150 ºC after 250K program/erase cycles is confirmed for advanced automotive system applications.
キーワード (和) 混載フラッシュメモリ / スプリットゲートセル / MONOS / FinFET / / / /  
(英) embedded Flash memory / split gate cell / MONOS / FinFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-7, pp. 35-38, 2017年4月.
資料番号 ICD2017-7 
発行日 2017-04-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) First demonstration of FinFET Split-Gate MONOS for High-Speed and Highly-Reliable Embedded Flash in 16/14nm-node and beyond 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 混載フラッシュメモリ / embedded Flash memory  
キーワード(2)(和/英) スプリットゲートセル / split gate cell  
キーワード(3)(和/英) MONOS / MONOS  
キーワード(4)(和/英) FinFET / FinFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 是文 / Shibun Tsuda / ツダ シブン
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川嶋 祥之 / Yoshiyuki Kawashima / カワシマ ヨシユキ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉冨 敦司 / Atsushi Yoshitomi / ヨシトミ アツシ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 三原 竜善 / Tatsuyoshi Mihara / ミハラ タツヨシ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳴海 俊一 / Shunichi Narumi / ナルミ シュンイチ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 真雄 / Masao Inoue / イノウエ マサオ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 村中 誠志 / Seiji Muranaka / ムラナカ セイジ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 隆弘 / Takahiro Maruyama / マルヤマ タカヒロ
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ
第10著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ
第11著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 久本 大 / Digh Hisamoto / ヒサモト ダイ
第12著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
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講演者
発表日時 2017-04-20 14:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2017-7 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ICD-2017-04-13 


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