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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-20 15:20
[招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-8
抄録 (和) 低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車載用MCU(Micro Controller Unit)の混載フラッシュメモリ技術に、さらなる進化が要求されている。当社SG-MONOS(Spilt-Gate MONOS)型フラッシュメモリは、90nm世代以来、車載MCUに混載可能な世界をリードする最先端フラッシュメモリであり、車載に要求される高信頼性および高性能と高いスケラビリティ性を持っている。低プロファイル (セル高さが低い)が可能なSG-MONOS構造はHKMG(High-K Metal Gate)トランジスタにも適合性が高く、28nmまでプロセス微細化に成功しており、また、FinFET型のメモリセル開発にも成功しており、16/14nmへのスケーラビリティも実証している。これらの優位性により、SG-MONOSは車載用混載フラッシュメモリが集約されていく中での有力な候補として、環境にやさしい車と自動運転の実現に貢献可能である。 
(英) Higher fuel-efficient engine and advanced driver assistance system (ADAS) require the further progress of embedded Flash (eFlash) technology for the automotive microcontroller units (MCUs). Our unique spilt-gate MONOS (SG-MONOS) has been leading the world’s first most cutting-edge eFlash for automotive MCUs since 90nm process node and has been already scaled down to 16/14nm one, because of its excellent reliability and process scalability. As the convergence candidate of eFlash for automotive Flash MCUs, SG-MONOS can contribute to the realization of the future world’s leading green vehicles and autonomous-driving era.
キーワード (和) 車載用途 / 混載フラッシュメモリ / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET / /  
(英) for Automotive / embedded Flash memory / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-8, pp. 39-44, 2017年4月.
資料番号 ICD2017-8 
発行日 2017-04-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ICD2017-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-8

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Embedded Flash Technology for Automotive Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 車載用途 / for Automotive  
キーワード(2)(和/英) 混載フラッシュメモリ / embedded Flash memory  
キーワード(3)(和/英) SG-MONOS / SG-MONOS  
キーワード(4)(和/英) ADAS / ADAS  
キーワード(5)(和/英) HKMG / HKMG  
キーワード(6)(和/英) FinFET / FinFET  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 全也 / Masaya Nakano / ナカノ マサヤ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 忠昭 / Tadaaki Yamauchi / ヤマウチ タダアキ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2017-04-20 15:20:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2017-8 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2017-04-13 


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