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講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-20 16:10
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-9
抄録 (和) 64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOCデコード方式によりロウ・デコーダー面積を18%小さくできた。これはチップ面積の約1.3%に相当する。またその他のレイアウト技術と併せて、チップ面積132mm2、ビット密度3.88Gb/mm2を実現した。SBL電流センス方式により8KB pageで64μsのtRを実現した。これは従来の16KB pageのABL電流センス方式より20%短い。USP動作により、しきい値電圧ウィンドウを15%広げることができ、信頼性を著しく改善させた。この3Dフラッシュ技術により、ビット密度・コスト・性能・信頼性の面で市場の要求を満たせることが確認できた。 
(英) A 512Gb 3b/cell flash has been developed on a 64-WL-layer BiCS technology. By using a four-block-EOC row decoding approach, row decoder area is reduced by 18%, which translates to a 1.3% die size reduction. With additional layout area reduction techniques, a 132mm2 die size and 3.88Gb/mm2 bit density have been achieved. SBL current sensing achieved a 64μs tR with an 8KB page size, which is 20% less than a conventional 16KB-page ABL. USP operation expanded the Vt window by 15%, which has significantly improved endurance and reliability. This work confirms that it is possible to meet market requirements for bit density, cost, performance, and reliability with this 3D-flash technology.
キーワード (和) 3Dフラッシュ / BiCS / 64ワードライン層 / NANDフラッシュメモリー / 不揮発性メモリー / / /  
(英) 3D-flash / BiCS / 64-word-line-layer / NAND flash memory / Non-volatile memory / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-9, pp. 45-50, 2017年4月.
資料番号 ICD2017-9 
発行日 2017-04-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-04-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3Dフラッシュ / 3D-flash  
キーワード(2)(和/英) BiCS / BiCS  
キーワード(3)(和/英) 64ワードライン層 / 64-word-line-layer  
キーワード(4)(和/英) NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory  
キーワード(5)(和/英) 不揮発性メモリー / Non-volatile memory  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 竜二 / Ryuji Yamashita / ヤマシタ リュウジ
第1著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) サガー マジア / Sagar Magia / サガー マジア
第2著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 樋口 勉 / Tsutomu Higuchi / ヒグチ ツトム
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 米谷 和英 / Kazuhide Yoneya / ヨネヤ カズヒデ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山村 俊雄 / Toshio Yamamura / ヤマムラ トシオ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 水越 裕之 / Hiroyuki Mizukoshi / ミズコシ ヒロユキ
第6著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 財津 真吾 / Shingo Zaitsu / ザイツ シンゴ
第7著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 実 / Minoru Yamashita / ヤマシタ ミノル
第8著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 外山 俊一 / Shunichi Toyama / トヤマ シュンイチ
第9著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 釡江 典裕 / Norihiro Kamae / カマエ ノリヒロ
第10著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) フアン リー / Juan Lee / フアン リー
第11著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) シュオ チェン / Shuo Chen / シュオ チェン
第12著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) ジアウェイ タオ / Jiawei Tao / ジアウェイ タオ
第13著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) ウィリアム マック / William Mak / ウィリアム マック
第14著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) シャオフア ツァン / Xiaohua Zhang / シャオフア ツァン
第15著者 所属(和/英) ウェスタンデジタル (略称: ウェスタンデジタル)
Western Digital (略称: WDC)
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講演者
発表日時 2017-04-20 16:10:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2017-9 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.45-50 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2017-04-13 


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