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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-04-20 15:25 室温原子層堆積法を用いたSnO2膜作製およびデバイス応用 ○齊藤俊介・野老健太郎・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大）  ED2017-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-5 |
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| 抄録 | （和） | 酸化スズ(SnO2)を用いたガスセンサは大半が焼結形であるために、粒径分布による特性のばらつきが生じやすく、また粒径に対する空間電荷層の変化の割合が少ないという問題がある。 これに対し我々は、集積化に優れた薄膜型のガスセンサを原子層堆積法により作製することを検討した。 SnO2室温原子層堆積過程を多重内部反射赤外吸収分光法により調査した。また、X線光電子分光法より膜がSnO2の状態であることを確認し、成長速度0.025nm/cycleを算出した。 さらにデバイス応用として、形成したSnO2膜をチャネルとした電界効果トランジスタ(FET)を試作し、FETの出力特性の傾向を確認した。 |
| （英） | Since most of the gas sensors using tin oxide (SnO2) are sintered type, there is a problem that variations in characteristics due to the particle size distribution tend to occur and rate of change of depletion layer to particle size is small. We have examined the fabrication of thin film type gas sensor with excellent integration by atomic layer deposition method. SnO2 room atomic layer deposition process was investigated by multiple internal reflection infrared absorption spectroscopy (MIR-IRAS). Also, it was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy that the film was in state of SnO2, and the growth rate of 0.025nm/cycle was calculated. In addition, as device application, we fabricated a field effect transistor (FET) with the SnO2 film as a channel, confirmed the trend of output characteristics of FET. |
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| キーワード | （和） | 原子層堆積 / プラズマ励起加湿酸素 / 赤外吸収分光法 / SnO2 / / / / |
| （英） | Atomic Layer Deposition / Plasma-excited H2O and O2 / MIR-IRAS / SnO2 / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 6, ED2017-5, pp. 17-20, 2017年4月. | |
| 資料番号 | ED2017-5 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 有機デバイス、酸化物デバイス、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 室温原子層堆積法を用いたSnO2膜作製およびデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of SnO2 film using room temperature atomic layer deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層堆積 / Atomic Layer Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ励起加湿酸素 / Plasma-excited H2O and O2 |
| キーワード(3)（和/英） | 赤外吸収分光法 / MIR-IRAS |
| キーワード(4)（和/英） | SnO2 / SnO2 |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 俊介 / Syunsuke Saito / サイトウ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野老 健太郎 / Kentaro Tokoro / トコロ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有馬 ボシール アハンマド / Bashir Ahmmad / アリマ ボシール アハンマド |
| 第5著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 繁 / Shigeru Kubota / クボタ シゲル |
| 第6著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-20 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-5 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ED) |
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