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講演抄録/キーワード
講演名 2017-02-24 10:25
Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング
渡辺時暢静岡大/富山大)・堀 匡寛・○小野行徳静岡大ED2016-131 SDM2016-148 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-131 SDM2016-148
抄録 (和) チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SOI)MOS p-i-nダイオードに応用し,過渡電流がバックゲート(基板)電圧の極性に強く依存していることを発見した.特に,バックゲート電圧が正のバイアスの場合,界面欠陥への電子の捕獲によって生じる電流のピークが消失する(または非常に小さい)ことが分かり,この特性は捕獲された電子のチャージの効果で与えられる.この結果はバックチャネルの形成の重要性を明らかにし,SOIMOSデバイスのCPのさらなる詳細な解析に対して重要な情報を与える. 
(英) Time-domain charge pumping, which monitors transient currents during the charge pumping process, was applied to silicon-on-insulator (SOI) MOS gated p–i–n diodes. We found that the transient electron current is strongly dependent on the polarity of the back (substrate) gate. Specifically, when the back gate is positively biased, the current peak caused by the electron trap to the interface defects was found to disappear (or significantly weaken), which was attributed to the charging effects of the trapped electrons. The present results reveal the importance of the formation of the back channel and provide important information for further detailed analysis of the charge pumping process in SOI MOS devices.
キーワード (和) チャージポンピング / 実時間 / 界面欠陥 / SOI / / / /  
(英) charge pumping / time-domain / interface defects / SOI / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 472, SDM2016-148, pp. 7-12, 2017年2月.
資料番号 SDM2016-148 
発行日 2017-02-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2016-131 SDM2016-148 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-131 SDM2016-148

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2017-02-24 - 2017-02-24 
開催地(和) 北海道大学百年記念会館 
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) チャージポンピング / charge pumping  
キーワード(2)(和/英) 実時間 / time-domain  
キーワード(3)(和/英) 界面欠陥 / interface defects  
キーワード(4)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 時暢 / Tokinobu Watanabe / ワタナベ トキノブ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学/富山大学 (略称: 静岡大/富山大)
Shizuoka University/University of Toyama (略称: Shizuoka Univ./Univ. Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 匡寛 / Hori Masahiro / ホリ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 行徳 / Ono Yukinori / オノ ユキノリ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2017-02-24 10:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2016-131,IEICE-SDM2016-148 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.471(ED), no.472(SDM) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2017-02-17,IEICE-SDM-2017-02-17 


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