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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-02-06 10:05 ［招待講演］Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure ○小寺雅子・矢野博之・宮下直人（東芝）  SDM2016-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-139 |
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| 抄録 | （和） | 銅配線と低誘電率膜からなるLSI構造（Cu/low-k構造）においてドライエッチング工程後にLow-k膜中のC-H/C-C結合が大幅に低下し，そのためにドライエッチング工程有無でCMP メカニズムが大きく異なることを示した．この違いはCMP研磨剤中に含まれる界面活性剤がLow-k膜のC-H/C-C結合に吸着することに起因するものである．また銅配線加工時にLow-k膜中の炭素消失が不均一に発生することを明らかにした．このような膜を平坦にCMPするためには研磨剤設計が重要である． |
| （英） | We evaluated the impact of process damage caused by dry or sputtering on chemical mechanical planarization (CMP) with Cu/low-k structures. We revealed that dry process drastically decreased C-H/C-C bonding in low-k films, and CMP mechanism of the low-k film was completely different between with and without dry processing. Although CMP slurry for low-k films usually contains surfactant to promote CMP removal rate of hydrophobic low-k surface, the C-H/C-C decrease of the low-k film significantly changes the absorption model of the surfactant. Moreover, during fabrication of Cu wiring, carbon missing inhomogeneously occurs within the low-k film. Thus, slurry design considering C-H/C-C missing in low-k films is a clue for successful fabrication. | |
| キーワード | （和） | 低誘電率 / 銅配線 / CMP / ドライエッチ / ダメージ / 界面活性剤 / / |
| （英） | low-k / Cu / CMP / Dry etch / damage / surfactant / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 450, SDM2016-139, pp. 1-4, 2017年2月. | |
| 資料番号 | SDM2016-139 | |
| 発行日 | 2017-01-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-139 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-139 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-02-06 - 2017-02-06 |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷 |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Interconnects, Package and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低誘電率 / low-k |
| キーワード(2)（和/英） | 銅配線 / Cu |
| キーワード(3)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(4)（和/英） | ドライエッチ / Dry etch |
| キーワード(5)（和/英） | ダメージ / damage |
| キーワード(6)（和/英） | 界面活性剤 / surfactant |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小寺 雅子 / Masako Kodera / コデラ マサコ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 博之 / Hiroyuki Yano / ヤノ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮下 直人 / Naoto Miyashita / ミヤシタ ナオト |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-02-06 10:05:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-139 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.450 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-30 (SDM) |
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