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講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-31 15:25
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
抄録 (和) 6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2RWデュアルポートSRAMを提案する。この擬似デュアルポートSRAMは8TデュアルポートSRAMセルを用いた従来型の2RWデュアルポートSRAMより小さなチップ面積とリーク電流を実現する。28nm HK/MGプロセスを用いて512kbit容量のテストチップを試作し、5.92Mbit/mm2のビット密度と760uAの低リーク電流を達成した。このビット密度はこれまで発表された2RWデュアルポートSRAMの中で最も高いものである。 
(英) We propose pseudo dual-port (DP) SRAM by using 6T single-port (SP) SRAM bitcell with double pumping circuitry, which enables 2-read/write (2RW) operation within a clock cycle. We designed and implemented a 512-kb pseudo DP SRAM macro based on 28-nm low-power bulk CMOS technology. Our design achieved the bit density of 5.92 Mb/mm2, which is the highest ever reported.
キーワード (和) 擬似 / デュアルポート / 2RW / SRAM / 28nm / ダブルポンピング / /  
(英) Pseudo / DP / 2RW / SRAM / 28nm / Double pumping / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 446, ICD2016-117, pp. 87-92, 2017年1月.
資料番号 ICD2016-117 
発行日 2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ICD CPM ED EID EMD MRIS OME SCE 
開催期間 2017-01-30 - 2017-01-31 
開催地(和) みやじま杜の宿(広島) 
開催地(英) Miyajima-Morino-Yado(Hiroshima) 
テーマ(和) 回路・デバイス・境界領域技術 
テーマ(英) Circuit, Device and Engineering Science 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-01-ICD-CPM-ED-EID-EMD-MR-OME-SCE-SDM-QIT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 5.92-Mb/mm2 28-nm Pseudo 2-Read/Write Dual-Port SRAM Using Double Pumping Circuitry 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 擬似 / Pseudo  
キーワード(2)(和/英) デュアルポート / DP  
キーワード(3)(和/英) 2RW / 2RW  
キーワード(4)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(5)(和/英) 28nm / 28nm  
キーワード(6)(和/英) ダブルポンピング / Double pumping  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 陽平 / Yohei Sawada / サワダ ヨウヘイ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 薫夫 / Masao Morimoto / モリモト マサオ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 良田 雄太 / Yuta Yoshida / ヨシダ ユウタ
第6著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 健 / Ken Shibata / シバタ ケン
第7著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 聡明 / Toshiaki Sano / サノ トシアキ
第8著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 信二 / Shinji Tanaka / タナカ シンジ
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第10著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2017-01-31 15:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-EMD2016-86,IEICE-MR2016-58,IEICE-SCE2016-64,IEICE-EID2016-65,IEICE-ED2016-129,IEICE-CPM2016-130,IEICE-SDM2016-129,IEICE-ICD2016-117,IEICE-OME2016-98 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.439(EMD), no.440(MR), no.441(SCE), no.442(EID), no.443(ED), no.444(CPM), no.445(SDM), no.446(ICD), no.447(OME) 
ページ範囲 pp.87-92 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMD-2017-01-23,IEICE-MR-2017-01-23,IEICE-SCE-2017-01-23,IEICE-EID-2017-01-23,IEICE-ED-2017-01-23,IEICE-CPM-2017-01-23,IEICE-SDM-2017-01-23,IEICE-ICD-2017-01-23,IEICE-OME-2017-01-23 


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