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| 講演名 | 2017-01-30 10:00 ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研）  SDM2016-130 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-130 |
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| 抄録 | （和） | 我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．IET技術は，P-TFETで5倍，N-TFETで2倍のオン電流増大を実現した．それに伴い，インバータの性能が向上した．さらに，相補型TFETインバータを用いたリングオシレータ(RO)回路の動作を初めて実証した．IET-TFETを用いたRO回路は，IET非導入の回路よりも高い動作周波数を示した． IET技術は，Si-TFETを用いて相補型回路を実現するためのブレークスルーとなる可能性を持つ． |
| （英） | We improved the performance of a complementary circuit comprising Si-based tunnel field-effect transistors (TFETs) by using isoelectronic trap (IET) technology. IET technology was found to increase the ON current (ION) 5 times in P-TFETs and 2 times in N-TFETs. The ION enhancement improved the inverter performance. In addition, ring oscillator (RO) circuit operation with the complementary TFET inverters was experimentally demonstrated for the first time. The RO circuit with IET-TFETs exhibited a higher operation frequency than that with conventional TFETs. IET technology provides a breakthrough towards realizing complementary circuits with Si-TFETs. | |
| キーワード | （和） | トンネルトランジスタ / 等電子トラップ / 相補型集積回路 / / / / / |
| （英） | Tunnel Field-Effect Transistor / Isoelectronic Trap / Complementary Integrated Circuit / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 448, SDM2016-130, pp. 1-4, 2017年1月. | |
| 資料番号 | SDM2016-130 | |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-130 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-130 |
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