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講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-27 11:20
GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ
幸丸竜太半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機ED2016-106 MW2016-182 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-106 MW2016-182
抄録 (和) GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する. 本スイッチにはSi基板上にGaN層を形成したGaNonSi を適用している.Si基板は安価であるが,GaNデバイスの基板材料としてよく用いられるSiCに比べ損失が大きいことが課題である.低損失化のために非対称型かつインダクタとFETによる並列共振器構成を用いた回路を適用した高耐電力スイッチを試作,X帯比帯域30%での評価結果として受信時挿入損失1.28dB以下,送信時アイソレーション11.0dB以上,43.1dBm以上のハンドリングパワーを達成し,GaNonSiを用いた場合でも低損失な電気特性を得ることができた. 
(英) An X-band low loss and high power switch using GaN on Si has been developed. The high power switch utilized asymmetric circuit topology and parallel resonator with inductor and FET for low insertion loss. The switch MMIC is fabricated in X-band with a size of 1.05x1.95mm2. The measured insertion loss at RX-mode was 1.28dB and the isolation at TX-mode was 11dB in worst case in 30% fractional bandwidth of X-band. Furthermore, measured isolation compression was less than 0.5dB at 43.1dBm.
キーワード (和) スイッチ / GaN on Si / MMIC / 低損失 / 高耐電力 / / /  
(英) switch / GaN on Si / MMIC / Low-loss / High-power / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 432, MW2016-182, pp. 53-56, 2017年1月.
資料番号 MW2016-182 
発行日 2017-01-19 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2016-106 MW2016-182 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-106 MW2016-182

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2017-01-26 - 2017-01-27 
開催地(和) 機械振興会館地下2階1号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2017-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An X-band Low Loss/High Power SPST Switch Using GaN on Si 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スイッチ / switch  
キーワード(2)(和/英) GaN on Si / GaN on Si  
キーワード(3)(和/英) MMIC / MMIC  
キーワード(4)(和/英) 低損失 / Low-loss  
キーワード(5)(和/英) 高耐電力 / High-power  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 幸丸 竜太 / Ryota Komaru / コウマル リョウタ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 半谷 政毅 / Masatake Hangai / ハンガイ マサタケ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中原 和彦 / Kazuhiko Nakahara / ナカハラ カズヒコ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡崎 拓行 / Hiroyuki Okazaki / オカザキ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者
発表日時 2017-01-27 11:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-ED2016-106,IEICE-MW2016-182 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.431(ED), no.432(MW) 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2017-01-19,IEICE-MW-2017-01-19 


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