講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-01-27 11:20
GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治(三菱電機) ED2016-106 MW2016-182 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-106 MW2016-182 |
抄録 |
(和) |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する. 本スイッチにはSi基板上にGaN層を形成したGaNonSi を適用している.Si基板は安価であるが,GaNデバイスの基板材料としてよく用いられるSiCに比べ損失が大きいことが課題である.低損失化のために非対称型かつインダクタとFETによる並列共振器構成を用いた回路を適用した高耐電力スイッチを試作,X帯比帯域30%での評価結果として受信時挿入損失1.28dB以下,送信時アイソレーション11.0dB以上,43.1dBm以上のハンドリングパワーを達成し,GaNonSiを用いた場合でも低損失な電気特性を得ることができた. |
(英) |
An X-band low loss and high power switch using GaN on Si has been developed. The high power switch utilized asymmetric circuit topology and parallel resonator with inductor and FET for low insertion loss. The switch MMIC is fabricated in X-band with a size of 1.05x1.95mm2. The measured insertion loss at RX-mode was 1.28dB and the isolation at TX-mode was 11dB in worst case in 30% fractional bandwidth of X-band. Furthermore, measured isolation compression was less than 0.5dB at 43.1dBm. |
キーワード |
(和) |
スイッチ / GaN on Si / MMIC / 低損失 / 高耐電力 / / / |
(英) |
switch / GaN on Si / MMIC / Low-loss / High-power / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 432, MW2016-182, pp. 53-56, 2017年1月. |
資料番号 |
MW2016-182 |
発行日 |
2017-01-19 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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