お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-27 11:34
Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長
深澤研介長瀬 剛増田裕一郎光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2016-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2016-45
抄録 (和) Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を行った.低温緩衝層を基板温度590 Cおよび NH3流量1500 sccmの条件で行った後,GaN薄膜の成長を基板温度1050~1100 C, NH3流量500~1500 sccmの範囲で行った.X線回折,表面・断面形状およびフォトルミネッセンスによる評価から,得られたGaN膜の膜構造および発光特性が,薄膜成長時のNH3ガス流量と成長温度に依存することがわかった.特に,基板温度1100 C, NH3流量500 sccmの条件により,表面が平坦な膜状結晶のGaN薄膜が得られた. 
(英) Gallium nitride (GaN) thin films were grown on c-plane sapphire substrates by chemical vapor deposition using Ga vapor and NH3 gas. Low-temperature buffer layer was deposited at a substrate temperature (Tg) of 590 C and a NH3 gas flow rate (F(NH3)) of 1500 sccm, which was followed by the growth of GaN thin films at Tg of 1050~1100 C and F(NH3) of 500~1500 sccm. X-ray diffraction, surface and cross-sectional morphology, and photoluminescence have shown that the film structure and the luminescence property of the GaN thin films depend on Tg and F(NH3). We have found that the flat GaN thin film was grown at Tg of 1100 C and F(NH3) 500 sccm.
キーワード (和) 窒化ガリウム / 化学気相法 / 薄膜成長 / / / / /  
(英) Gallium nitride / Chemical vapor deposition / thin film growth / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 430, EID2016-45, pp. 125-128, 2017年1月.
資料番号 EID2016-45 
発行日 2017-01-19 (EID) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2016-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2016-45

研究会情報
研究会 EID ITE-IDY IEE-EDD IEIJ-SSL SID-JC  
開催期間 2017-01-26 - 2017-01-27 
開催地(和) 徳島大学 
開催地(英) Tokushima Univ. 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 
テーマ(英) Joint Meeting of Emissive/Non-emissive Displays 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EID 
会議コード 2017-01-EID-IDY-EDD-SSL-JC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of GaN thin films by chemical vapor deposition using Ga vapor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / Gallium nitride  
キーワード(2)(和/英) 化学気相法 / Chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) 薄膜成長 / thin film growth  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 深澤 研介 / Kensuke Fukasawa / フカサワ ケンスケ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長瀬 剛 / Tsuyoshi Nagase / ナガセ ツヨシ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 裕一郎 / Yuichirou Masuda / マスダ ユウイチロウ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 光野 徹也 / Tetsuya Kouno / コウノ テツヤ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小南 裕子 / Hiroko Kominami / コミナミ ヒロコ
第5著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 和彦 / Hara kazuhiko / ハラ カズヒコ
第6著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2017-01-27 11:34:00 
発表時間
申込先研究会 EID 
資料番号 IEICE-EID2016-45 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.430 
ページ範囲 pp.125-128 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2017-01-19 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会