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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-26 14:00 ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大）  ED2016-96 MW2016-172 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-96 MW2016-172 |
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| 抄録 | （和） | GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行われている。加えて、携帯電話基地局等で使用される高周波パワーアンプにおいては既に広く実用化されている。パナソニックにおいては、大面積Si基板上へのGaN結晶成長をコア技術としてGaNトランジスタの実用化開発を推進してきた。本講演では、Si上GaNトランジスタのスイッチング及び高周波応用に関して、開発の現状を解説する。 |
| （英） | GaN transistors have been widely investigated for power deices to be used in various power switching systems. In addition, high-frequency power amplifiers employing GaN transistors are commercially available for cellular base-station applications. Panasonic has been developing GaN transistors taking advantages of its proprietary technologies on the epitaxial growth of GaN on large diameter Si substrates. In this paper, state-of-the-art GaN transistors on Si developed by Panasonic aiming at both switching and high frequency applications are summarized. | |
| キーワード | （和） | GaNトランジスタ / Si基板 / スイッチングパワーデバイス / 高周波パワーアンプ / / / / |
| （英） | GaN transistor / Si substrate / Switching power device / High frequency power amplifier / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-96, pp. 1-5, 2017年1月. | |
| 資料番号 | ED2016-96 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-96 MW2016-172 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-96 MW2016-172 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上GaNパワーデバイス |
| サブタイトル（和） | スイッチング及び高周波応用 |
| タイトル（英） | GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching and High-Frequency Applications |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | GaNトランジスタ / GaN transistor |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチングパワーデバイス / Switching power device |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波パワーアンプ / High frequency power amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 啓之 / Hiroyuki Sakai / |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 大助 / Daisuke Ueda / |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大 (略称： 京都工繊大) Kyoto Insutitute of Technorogy (略称： Kyoto Insutitute of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-26 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-96, MW2016-172 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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