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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-19 16:30
直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上
細谷友崇糟谷文月谷口弘樹渡辺隆之末光哲也尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・石橋忠夫NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠NEL)・佐藤 昭東北大ED2016-84 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-84
抄録 (和) 室温動作可能、高速応答可能なテラヘルツ受光デバイスとして、非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG-HEMT)が注目されている。しかし、テラヘルツ波の自由空間での集光スポットサイズに比べ、ADGG-HEMTのアクティブエリアが小さく、受光効率が低いことが課題の一つである。そこで本稿では、1) 直列アレイ化による実効アクティブエリア増大、2) 超半球シリコンレンズ集積によるスポットサイズ縮小の2つの方法で、受光効率の改善を試みた。4素子直列アレイ化では約4倍、シリコンレンズ集積では約6倍の感度向上を確認したことを報告する。またシリコンレンズ集積については、入射テラヘルツ波の周波数特性についても議論する。 
(英) Asymmetric-dual-grating-gate high-electron-mobility-transistors (ADGG-HEMTs) are expected for room-temperature operating, high-speed THz detectors. However, their low light receiving efficiency is one of serious concerns because the focused spot size of free space THz wave is much smaller than the active area of ADGG-HEMTs. To improve this, we examine 1) increasing the effective active area by implementing series array of detectors and 2) shrinking the spot size by integrating a detector with a hyper-hemispherical silicon lens. We report the 4-fold enhancement of responsivity by series array of 4 detectors and the 6-fold enhancement by the silicon lens integration. Also, we discuss the frequency characteristics on silicon lens module.
キーワード (和) HEMT / プラズモン / テラヘルツ検出器 / アレイ / Siレンズ / / /  
(英) HEMT / Plasmon / THz detector / array / Si lens / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-84, pp. 23-28, 2016年12月.
資料番号 ED2016-84 
発行日 2016-12-12 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-84 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-84

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2016-12-19 - 2016-12-20 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of light receiving efficiency of Asymmetric-Dual-Grating-Gate High-Electron-Mobility-Transistor by series array and lens integration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(2)(和/英) プラズモン / Plasmon  
キーワード(3)(和/英) テラヘルツ検出器 / THz detector  
キーワード(4)(和/英) アレイ / array  
キーワード(5)(和/英) Siレンズ / Si lens  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 細谷 友崇 / Tomotaka Hosotani / ホソタニ トモタカ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 糟谷 文月 / Fuzuki Kasuya / カスヤ フズキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 弘樹 / Hiroki Taniguchi / タニグチ ヒロキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 隆之 / Takayuki Watanabe / ワタナベ タカユキ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀧田 佑馬 / Yuma Takida / タキダ ユウマ
第7著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 弘昌 / Hiromasa Ito / イトウ ヒロマサ
第8著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 南出 泰亜 / Hiroaki Minamide / ミナミデ ヒロアキ
第9著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 忠夫 / Tadao Ishibashi / イシバシ タダオ
第10著者 所属(和/英) NTTエレクトロニクステクノ株式会社 (略称: NTTエレクトロニクステクノ)
NTT Electronics Techno (略称: NTT Electronics Techno)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 誠 / Makoto Shimizu / シミズ マコト
第11著者 所属(和/英) NTTエレクトロニクス株式会社 (略称: NEL)
NTT Electronics (略称: NEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 昭 / Akira Satou / サトウ アキラ
第12著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2016-12-19 16:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2016-84 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.375 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2016-12-12 


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