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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-19 14:40
InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTエレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-81
抄録 (和) InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 KにおけるDC,RF特性を,種々のドレイン側リセス長Lrdにおいて測定した.16 Kにおけるドレイン電流-電圧(I-V)特性は,全てのLrdの場合においてキンクを示した.遮断周波数fTの最高値は,300,16 Kの両方においてLrdの増大につれて減少する.一方,最大発振周波数fmaxは,300,16 Kの両方において非常に複雑な挙動を示す.各温度,各ドレイン電圧において,fmaxを増大させる最適なLrdが存在することが分かった.また,等価回路パラメータを抽出し,fTとfmaxの傾向について考察した.fTは相互コンダクタンスgmとゲート容量Cgで構成されるが,Lrdの増加に伴ってgmは減少しCgは増大する.fmaxは主にドレインコンダクタンスgdとゲート・ドレイン容量Cgdの傾向を反映し,Lrdが長い領域ではgd,Lrdが短い領域ではCgdの影響が比較的大きいようである. 
(英) We measured the DC and RF characteristics of InP-based 75-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTs with various drain-side recess lengths Lrd’s at 300 and 16 K. The kink phenomenon was seen in the current-voltage (I-V) characteristics for all the measured HEMTs at 16 K. The peak cutoff frequency fT decreases with increasing Lrd both at 300 and 16 K. On the other hand, the maximum oscillation frequency fmax shows very complicated behavior both at 300 and 16 K. We found that there exists the most suitable Lrd value to increase fmax at each temperature and/or drain-source voltage Vds. Furthermore, we extracted the equivalent circuit parameters and discussed the trend of fT and fmax values. fT can be expressed by transconductance gm and gate capacitance Cg. gm decreases with increasing Lrd and Cg increases with increasing Lrd. fmax is mainly reflects the trend of drain conductance gd and gate-drain capacitance Cgd. The effect of gd is relatively large in the the longer Lrd region and the effect of Cgd is relatively large in the shorter Lrd region.
キーワード (和) InP HEMT / InAlAs/InGaAs / 低温特性 / ドレイン側リセス長 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / 等価回路パラメータ /  
(英) InP HEMT / InAlAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Drain-side recess length / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / Equivalent circuit parameters /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-81, pp. 7-12, 2016年12月.
資料番号 ED2016-81 
発行日 2016-12-12 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2016-12-19 - 2016-12-20 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InP HEMT / InP HEMT  
キーワード(2)(和/英) InAlAs/InGaAs / InAlAs/InGaAs  
キーワード(3)(和/英) 低温特性 / Cryogenic characteristics  
キーワード(4)(和/英) ドレイン側リセス長 / Drain-side recess length  
キーワード(5)(和/英) 遮断周波数 / Cutoff frequency  
キーワード(6)(和/英) 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency  
キーワード(7)(和/英) 等価回路パラメータ / Equivalent circuit parameters  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 大介 / Taisuke Iwai / イワイ タイスケ
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第8著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所/情報通信研究機構 (略称: 富士通研/NICT)
Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology (略称: Fujitsu Labs./NICT)
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講演者
発表日時 2016-12-19 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2016-81 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.375 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2016-12-12 


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