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| 講演名 | 2016-12-15 15:30 ［ポスター講演］ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析 ○福山将平・前田一輝・竹内 健（中大）  ICD2016-70 CPSY2016-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2016-70 |
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| 抄録 | （和） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM)は低消費電力かつ高速で動作可能であるため、ストレージ・クラス・メモリ(SCM)の1つとして注目されている。ReRAMはメモリセル内部に電圧を加えてフィラメントの生成と消滅で抵抗値を変化させることにより情報を記憶する不揮発性メモリである。フィラメントを生成した低抵抗状態を”1”、フィラメントを消滅させた高抵抗状態を”0”として書き込みを行う。ReRAMは”1”、”0”の連続的な書き換えを多数行うとフィラメントの生成と消滅の切り替えが困難になりエラーが生じる。本論文では、ReRAMの書き換え耐久性における信頼性の向上を目的としたエラー傾向の解析を行った。 |
| （英） | Resistive random access memory (ReRAM) attracts attention as one of the storage class memory (SCM) because of its high speed and low power consumption. ReRAM is non-volatile memory, and the resistance value is changed by forming and dissolving the filament. Data ”1” is low resistance state, data ”0” is high resistance state. Forming and dissolving the filament becomes difficult by a lot of writing of “1” or “0” in ReRAM and an error occurs. In this paper, the error tendency is analyzed for the purpose of improving the endurance of ReRAM. | |
| キーワード | （和） | ReRAM / 信頼性 / / / / / / |
| （英） | ReRAM / reliability / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-70, pp. 59-59, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ICD2016-70 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-70 CPSY2016-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2016-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Error Tendency Analysis of Endurance in ReRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福山 将平 / Shouhei Fukuyama / フクヤマ ショウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 一輝 / Kazuki Maeda / マエダ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-15 15:30:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-70, CPSY2016-76 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.364(ICD), no.365(CPSY) |
| ページ範囲 | p.59 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
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