講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-15 15:30
[ポスター講演]NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 ○渡邉 光・小林惇朗・竹内 健(中大) ICD2016-66 CPSY2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-66 |
抄録 |
(和) |
近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の構成部品であるNAND型フラッシュメモリは、多値化や微細化技術により1ビットあたりのコストが低下している。一方、データが頻繁に読み出されることによるエラーの増加が問題となっている。これは、データを読み出す際に非読み出しメモリセルに電圧が印加され浮遊ゲートに誤って電子が注入されることにより、メモリセルのしきい値電圧が上昇してしまうことが原因とされている。これを読み出しディスターブエラーという。本論文では、信頼性を改善するために読み出しディスターブエラーの解析を行った。 |
(英) |
Recently, as cloud computing technology and Social Networking Service spread, the applications whose data is read locally have been increased. The cost of NAND flash memory, which composes solid-state drives, is reduced by multi-level cell and scaling technology. In contrast, errors are increased by frequent read operations. This error is occurred due to unintended threshold voltage increase because the electrons are injected to the floating-gate by applying voltage to the non-read target cells when the data is read. This error is called read-disturb error. In this paper, we analyzed the read-disturb error to improve the reliability of NAND flash memory. |
キーワード |
(和) |
NAND型フラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / 信頼性 / / / / / |
(英) |
NAND flash memory / Soild-state drives(SSDs) / reliability / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-66, pp. 51-51, 2016年12月. |
資料番号 |
ICD2016-66 |
発行日 |
2016-12-08 (ICD, CPSY) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2016-66 CPSY2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-66 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD CPSY |
開催期間 |
2016-12-15 - 2016-12-16 |
開催地(和) |
東京工業大学 |
開催地(英) |
Tokyo Institute of Technology |
テーマ(和) |
学生・若手研究会 |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2016-12-ICD-CPSY |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Analysis of Read Disturb Error in NAND Flash Memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
キーワード(2)(和/英) |
ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / Soild-state drives(SSDs) |
キーワード(3)(和/英) |
信頼性 / reliability |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡邉 光 / Hikaru Watanabe / ワタナベ ヒカル |
第1著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi / コバヤシ アツロウ |
第2著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第3著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-12-15 15:30:00 |
発表時間 |
120分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2016-66, CPSY2016-72 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.364(ICD), no.365(CPSY) |
ページ範囲 |
p.51 |
ページ数 |
1 |
発行日 |
2016-12-08 (ICD, CPSY) |