講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-13 14:40
テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ○藤井高志(立命館大/PNP)・達 紘平・荒木 努・名西やすし(立命館大)・岩本敏志・佐藤幸徳(PNP)・長島 健(摂南大) ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 |
抄録 |
(和) |
多くの 無機半導体中電子の散乱時間(τ)は、おおよそ0.1psecオーダーである。そのため、複素導電率のTHz周波数帯での分散特性を解析することにより、キャリア濃度や移動度などの電気特性を求めることができる。我々は、新たにTHz時間領域分光エリプソメトリーを開発し、これを用いることにより、GaNやSiCのエピタキシャル膜のキャリア濃度、移動度、膜厚を、非接触・非破壊での測定に成功した。さらに、この応用のための装置を開発した。 |
(英) |
Scattering time () of several inorganic semiconductors are around 10-1 psec. Therefore, electric properties, such as carrier density and mobility, can be obtained by analyzing the dispersion of conductivity ranging for THz regions. We have developed the THz Time-domain Ellipsometry and measured the carrier density, the mobility and the thickness of GaN and SiC epitaxal layer without contact and destruction. Furthermore, we have fabricated the apparatus for characterization of electric properties. |
キーワード |
(和) |
テラヘルツ / エリプソメトリー / ワイドギャップ半導体 / GaN / SiC / / / |
(英) |
Terahertz / Ellipsometry / Wide gap semiconductor / GaN / SiC / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 357, CPM2016-111, pp. 103-106, 2016年12月. |
資料番号 |
CPM2016-111 |
発行日 |
2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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