講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-12 15:15
DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 ○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成(兵庫県立大)・佐藤 旦・横山 新(広島大) EID2016-23 SDM2016-104 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2016-23 SDM2016-104 |
抄録 |
(和) |
DNA/Si-MOSFET,及び,寄生容量制御可能なインバータ回路を作成しその入出力特性を調べた。シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に付けた.VDD=0VとVDD=3Vの場合で出力特性に殆ど変化がなかった.理由は,DNA/Si-MOSFETが電荷捕獲放出により空間電荷可変領域を形成する事,可変寄生容量を形成する事と考えられる. |
(英) |
An input/output characteristics of the inverter composed of the DNA/Si-MOSFET and the parasitic capacity was studied. The DNA was bridged between the Si electrodes those serve as the source and drain with the 120nm-gap-length. At VDD = 0 V and VDD = 3V, the output characteristic was almost the same. The remain of this phenomenon is that the space charge layer of the DNA/Si-MOSFET charge due to the charge capture and emission and the parasitic capacitance charge synchronized with the gate voltage. |
キーワード |
(和) |
DNA/Si-MOSFET / インバータ / / / / / / |
(英) |
DNA/Si-MOSFET / inverter / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-104, pp. 63-66, 2016年12月. |
資料番号 |
SDM2016-104 |
発行日 |
2016-12-05 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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